GD25LQ16CNIGR PDF数据手册_GD25LQ16CNIGR 特性/功能/参数/引脚图_兆易创新(GigaDevice) 存储器

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GD25LQ16CNIGR: 产品描述FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-USON（4x3）; 产品类别半导体存储器; 文件大小2MB，共72页; 制造商兆易创新(GigaDevice); 官网地址http://www.gigadevice.com

GD25LQ16CNIGR概述

GD25LQ16CNIGR(16M-bit)串行闪存支持标准串行外围接口(Serial Peripheral Interface, SPI)，支持双/四路SPI:串行时钟，芯片选择，串行数据I/O0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度为208Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbits/s。

特点
　　●16M位串行闪存

　　●2048K字节

　　●每个可编程页面256字节

　　●标准二重的四路SPI-标准：SCLK，CS#，SO.WP#，HOLD#-标准：SLK，CS#，SO.WF#，HOLD#-双路：SCLK、CS#，，WP#，HOLDI#-四路：SCLK。CS#。102

　　●高速时钟频率104MHz，用于30PF负载的快速读取-双/输出数据传输高达208Mbit/s-四/输出数据传送高达416Mbit/s

　　●允许(就地执行)操作-带8/16/32/64字节换行的连续读取

　　●软件/硬件Wnte保护-通过软件写入保护/部分内存-使用WP#引脚启用/禁用保护-顶部/底部块保护

　　●最少100000个编程/擦除周期

GD25LQ16CNIGR规格参数

参数名称	属性值
类别	半导体;存储器
厂商名称	兆易创新(GigaDevice)
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
技术	FLASH - NOR
存储容量	16Mb（2M x 8）
存储器接口	SPI - 四 I/O
时钟频率	104 MHz
写周期时间 - 字，页	50µs，2.4ms
电压 - 供电	1.65V ~ 2.1V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	8-USON（4x3）
基本产品编号	GD25LQ16

GD25LQ16CNIGR 引脚图/封装图

GD25LQ16CNIGR 相似产品对比

	GD25LQ16CNIGR	GD25LQ16CTIG	GD25LQ16CSIGR
描述	FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-USON（4x3）	FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-SOP	FLASH - NOR 存储器 IC 16Mb（2M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-SOP
类别	半导体;存储器	半导体;存储器	半导体;存储器
厂商名称	兆易创新(GigaDevice)	兆易创新(GigaDevice)	兆易创新(GigaDevice)
包装	卷带（TR）剪切带（CT）	管件	卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型	非易失	非易失	非易失
存储器格式	闪存	闪存	闪存
技术	FLASH - NOR	FLASH - NOR	FLASH - NOR
存储容量	16Mb（2M x 8）	16Mb	16Mb
存储器接口	SPI - 四 I/O	SPI - 四 I/O	SPI - 四 I/O
时钟频率	104 MHz	104 MHz	104 MHz
写周期时间 - 字，页	50µs，2.4ms	50µs，2.4ms	50µs，2.4ms
电压 - 供电	1.65V ~ 2.1V	1.65V ~ 2.1V	1.65V ~ 2.1V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）	-40°C ~ 85°C（TA）	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型	表面贴装型	表面贴装型
封装/外壳	8-UDFN 裸露焊盘	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）	8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装	8-USON（4x3）	8-SOP	8-SOP
基本产品编号	GD25LQ16	GD25LQ16	GD25LQ16
存储器组织	-	2M x 8	2M x 8

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型号	制造商	类别	描述	文档
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