GD25LQ64CQIGR PDF数据手册_GD25LQ64CQIGR 特性/功能/参数/引脚图_兆易创新(GigaDevice) 存储器

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GD25LQ64CQIGR: 产品描述FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb（8M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-USON（4x4）; 产品类别半导体存储器; 文件大小1MB，共80页; 制造商兆易创新(GigaDevice); 官网地址http://www.gigadevice.com

GD25LQ64CQIGR概述

GD25LQ64CQIGR (64M-bit)串行闪存支持标准串行外设接口(Serial Peripheral Interface, SPI)，支持双/四路SPI和QPI模式:串行时钟，芯片选择，串行数据I/O0 (SI)， I/O1 (SO)， I/O2 (WP#)， I/O3 (HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

特点
64M位串行闪存
　-8192K字节
　-每个可编程页面256字节
标准、双路、四路SPI、QPI-标准SPI：SCLK、CS#、SO.WP#。保持#-双SPE：SCLK。CS编号。碘..WP#。保持#-四路SPI：SCLK。CS编号。100. 101. 102.103-：SCLK，CS#。
高速时钟频率-120MHz，用于30PF负载的快速读取-双I/O数据传输高达240Mbit/s-四I/O数据传输敢达480Mbit/s
软件/硬件写保护-通过软件对内存的所有部分进行写保护-使用WP#引脚启用/禁用保护-顶部/底部块保护
最少100000个编程/擦除周期
数据保留
　-典型的20年数据保留期

GD25LQ64CQIGR规格参数

参数名称	属性值
类别	半导体;存储器
厂商名称	兆易创新(GigaDevice)
包装	卷带（TR）
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
技术	FLASH - NOR
存储容量	64Mbit
存储器组织	8M x 8
存储器接口	SPI - 四 I/O
时钟频率	120 MHz
写周期时间 - 字，页	2.4ms
电压 - 供电	1.65V ~ 2V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-XDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	8-USON（4x4）
基本产品编号	GD25LQ64

GD25LQ64CQIGR 引脚图/封装图

GD25LQ64CQIGR 相似产品对比

	GD25LQ64CQIGR	GD25LQ64CVIGR
描述	FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb（8M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-USON（4x4）	FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb（8M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-VSOP
类别	半导体;存储器	半导体;存储器
厂商名称	兆易创新(GigaDevice)	兆易创新(GigaDevice)
包装	卷带（TR）	卷带（TR）
存储器类型	非易失	非易失
存储器格式	闪存	闪存
技术	FLASH - NOR	FLASH - NOR
存储容量	64Mbit	64Mb（8M x 8）
存储器接口	SPI - 四 I/O	SPI - 四 I/O
时钟频率	120 MHz	120 MHz
写周期时间 - 字，页	2.4ms	2.4ms
电压 - 供电	1.65V ~ 2V	1.65V ~ 2V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型	表面贴装型
封装/外壳	8-XDFN 裸露焊盘	8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装	8-USON（4x4）	8-VSOP
基本产品编号	GD25LQ64	GD25LQ64

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型号	制造商	类别	描述	文档
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