GD25Q256DYIGR PDF数据手册_GD25Q256DYIGR 特性/功能/参数/引脚图_兆易创新(GigaDevice) 存储器

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GD25Q256DYIGR: 产品描述FLASH - NOR 存储器 IC 256Mb（32M x 8） SPI - 四 I/O 104 MHz 8-WSON（6x8）; 产品类别半导体存储器; 文件大小2MB，共89页; 制造商兆易创新(GigaDevice); 官网地址http://www.gigadevice.com

GD25Q256DYIGR概述

GD25Q256DYIGR(256M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI)，并支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#/RESET#)。双I/O数据以208Mbit/s的速度传输，四路I/O和四路输出数据以416Mbit/s速度传输。

特点
256M位串行闪存
每个可编程页面256字节
标准、双、四SPI
标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#/RESET#
双重：SCLK。CS#。WP#保持#/复位
四边形：SCLK。CS#。101. .
3或4字节寻址模式
高速时钟频率-最大104MHz，可在3上快速读取。0-3.6V电源
高达208Mbit/s的双I/O数据传输
Quad/O数据传输高达416Mbit/s-最大80MHz，可在2上快速读取。7-3.6V电源
高达160Mbit/s的双I/O数据传输
高达320Mbit/s的四路数据传输
软件写入保护
通过软件写入保护所有/部分内存-顶部/底部块保护
允许XIP(就地执行)操作-带8/16/32/64字节换行的连续读取
循环耐久性和数据保留-最少100000次编程/擦除循环-典型的20年数据保留

GD25Q256DYIGR规格参数

参数名称	属性值
类别	半导体;存储器
厂商名称	兆易创新(GigaDevice)
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
技术	FLASH - NOR
存储容量	256Mb
存储器组织	32M x 8
存储器接口	SPI - 四 I/O
时钟频率	104 MHz
写周期时间 - 字，页	50µs，2.4ms
电压 - 供电	2.7V ~ 3.6V
工作温度	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	8-WSON（6x8）
基本产品编号	GD25Q256

GD25Q256DYIGR 引脚图/封装图

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