GD25Q64CSJGR PDF数据手册_GD25Q64CSJGR 特性/功能/参数/引脚图_兆易创新(GigaDevice) 存储器

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GD25Q64CSJGR: 产品描述FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb（8M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-SOP; 产品类别半导体存储器; 文件大小1MB，共74页; 制造商兆易创新(GigaDevice); 官网地址http://www.gigadevice.com

GD25Q64CSJGR概述

GD25Q64CSJGR(64M位)串行闪存支持标准串行外围接口(SPI)，并支持双/四SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0(SI)、I/O 1(SO)、I/O(WP#)和I/O(HOLD#)。双I/O数据以240Mbit/s的速度传输，四路I/O和四路输出数据以480Mbit/s速度传输。

特点：
64M位串行闪存
　-8192K字节
　-每个可编程页面256字节
标准、双路、四路-标准：SCLK、CS#、SI、SO、WP#。HOLD#-双SPI：SCLK、CS#、。WP#。HOLD#-Quad:SCLK。CS#100。101. 102. 103
　-高速时钟频率120MHz，用于30PF负载的快速读取-双I/O数据传输高达240Mbit/s-四I/O数据传输敢达480Mbit/s–连续读取，8/16/32/64字节环绕
　-软件/硬件Wnte保护-Wnite通过软件保护内存的所有部分-启用WP#引脚禁用保护-顶部/底部块保护
　-最少100000个编程/擦除周期
　-允许(就地执行)操作)
数据保留期
　-典型的20年数据保留

GD25Q64CSJGR规格参数

参数名称	属性值
类别	半导体;存储器
厂商名称	兆易创新(GigaDevice)
包装	卷带（TR）剪切带（CT）
存储器类型	非易失
存储器格式	闪存
技术	FLASH - NOR
存储容量	64Mbit
存储器组织	8M x 8
存储器接口	SPI - 四 I/O
时钟频率	120 MHz
写周期时间 - 字，页	50µs，2.4ms
电压 - 供电	2.7V ~ 3.6V
工作温度	-40°C ~ 105°C（TA）
安装类型	表面贴装型
封装/外壳	8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
供应商器件封装	8-SOP
基本产品编号	GD25Q64

GD25Q64CSJGR 引脚图/封装图

GD25Q64CSJGR 相似产品对比

	GD25Q64CSJGR	GD25Q64CPIG
描述	FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb（8M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-SOP	FLASH - NOR 存储器 IC 64Mb（8M x 8） SPI - 四 I/O 120 MHz 8-DIP
类别	半导体;存储器	半导体;存储器
厂商名称	兆易创新(GigaDevice)	兆易创新(GigaDevice)
包装	卷带（TR）剪切带（CT）	管件
存储器类型	非易失	非易失
存储器格式	闪存	闪存
技术	FLASH - NOR	FLASH - NOR
存储容量	64Mbit	64Mbit
存储器组织	8M x 8	8M x 8
存储器接口	SPI - 四 I/O	SPI - 四 I/O
时钟频率	120 MHz	120 MHz
写周期时间 - 字，页	50µs，2.4ms	50µs，2.4ms
电压 - 供电	2.7V ~ 3.6V	2.7V ~ 3.6V
工作温度	-40°C ~ 105°C（TA）	-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型	表面贴装型	表面贴装型
封装/外壳	8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）	8-DIP（0.260"，6.60mm）
供应商器件封装	8-SOP	8-DIP
基本产品编号	GD25Q64	GD25Q64

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