2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor |
包装说明 | R-PSIP-W4 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压 | 800 V |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.1 V |
JESD-30 代码 | R-PSIP-W4 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值正向电流 | 60 A |
元件数量 | 4 |
相数 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 800 V |
表面贴装 | NO |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
KBP206G | KBP201G_1 | KBP204G | |
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描述 | 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE | 2 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor | - | Taiwan Semiconductor |
包装说明 | R-PSIP-W4 | - | R-PSIP-W4 |
Reach Compliance Code | compliant | - | compliant |
其他特性 | UL RECOGNIZED | - | UL RECOGNIZED |
最小击穿电压 | 800 V | - | 400 V |
配置 | BRIDGE, 4 ELEMENTS | - | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
二极管类型 | BRIDGE RECTIFIER DIODE | - | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.1 V | - | 1 V |
JESD-30 代码 | R-PSIP-W4 | - | R-PSIP-W4 |
湿度敏感等级 | 1 | - | 1 |
最大非重复峰值正向电流 | 60 A | - | 60 A |
元件数量 | 4 | - | 4 |
相数 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 4 | - | 4 |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | - | -55 °C |
最大输出电流 | 2 A | - | 2 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 800 V | - | 400 V |
表面贴装 | NO | - | NO |
端子形式 | WIRE | - | WIRE |
端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
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