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KBP206G

产品描述2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小160KB,共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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KBP206G概述

2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

2 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管

KBP206G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PSIP-W4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压800 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PSIP-W4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流60 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

KBP206G相似产品对比

KBP206G KBP201G_1 KBP204G
描述 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor
包装说明 R-PSIP-W4 - R-PSIP-W4
Reach Compliance Code compliant - compliant
其他特性 UL RECOGNIZED - UL RECOGNIZED
最小击穿电压 800 V - 400 V
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS - BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE - BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V - 1 V
JESD-30 代码 R-PSIP-W4 - R-PSIP-W4
湿度敏感等级 1 - 1
最大非重复峰值正向电流 60 A - 60 A
元件数量 4 - 4
相数 1 - 1
端子数量 4 - 4
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C
最大输出电流 2 A - 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - IN-LINE
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 800 V - 400 V
表面贴装 NO - NO
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 SINGLE - SINGLE
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