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NDB608B

产品描述N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小73KB，共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDB608B概述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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DT3055
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
·
·
·
·
·
High Cell Density DMOS Technology
Low On-State Resistance
High Power and Current Capability
Fast Switching Speed
High Transient Tolerance
SOT-223
Dim
A
B
Min
6.30
2.90
6.71
3.30
2.22
0.92
1.10
1.55
0.025
0.66
4.55
—
10°
0.254
10°
Max
6.71
3.10
7.29
3.71
2.35
1.00
1.30
1.80
0.102
0.79
4.70
10°
16°
0.356
16°
A
B
C
D
E
D
C D
G
E
J
K
D
S
G
H
G
P
R
S
H
J
K
L
M
N
P
R
S
L
M
N
Mechanical Data
·
·
SOT-223 Plastic Case
Terminal Connections: See Outline Drawing
and Internal Circuit Diagram Above
25°C unless otherwise specified
Symbol
V
DSS
V
GSS
Note 1a Continuous
Pulsed
Note 1a
Note 1b
Note 1c
I
D
P
d
T
j
, T
STG
Value
60
±20
±4
±25
3.0
1.3
1.1
-65 to +150
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
Drain-Source Voltage
Characteristic
Gate-Source Voltage - Continuous
Drain Current
Maximum Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
Unit
V
V
A
W
°C
Thermal Characteristics
Characteristic
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Note 1
Symbol
R
QJA
R
QJC
Value
42
12
Unit
°C/W
°C/W
Notes:
1. R
QJA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as
the solder mounting surface of the drain pins. R
QJC
is guaranteed by design while R
QCA
is determined by the user’s board design.
1a. With 1 in
2
oz 2 oz. copper mounting pad R
QJA
= 42°C/W.
1b. With 0.0066 in
2
oz 2 oz. copper mounting pad R
QJA
= 95°C/W.
1c. With 0.0123 in
2
oz 2 oz. copper mounting pad R
QJA
= 110°C/W.
DS11604 Rev. C-4
1 of 4
DT3055

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描述 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合 不符合 - 不符合 -
厂商名称 - Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild - Fairchild -
Reach Compliance Code - compli unknow compli unknow - compli -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 -
配置 - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE -
最小漏源击穿电压 - 80 V 80 V 80 V 80 V - 80 V -
最大漏极电流 (Abs) (ID) - 32 A 36 A 32 A 36 A - 36 A -
最大漏极电流 (ID) - 32 A 36 A 32 A 36 A - 36 A -
最大漏源导通电阻 - 0.045 Ω 0.042 Ω 0.045 Ω 0.042 Ω - 0.042 Ω -
FET 技术 - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR -
JEDEC-95代码 - TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB - TO-263AB -
JESD-30 代码 - R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - R-PSSO-G2 -
JESD-609代码 - e0 e0 e0 e0 - e0 -
元件数量 - 1 1 1 1 - 1 -
端子数量 - 3 3 3 3 - 2 -
工作模式 - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE -
最高工作温度 - 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C - 175 °C -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - SMALL OUTLINE -
峰值回流温度（摄氏度） - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - N-CHANNEL -
最大功率耗散 (Abs) - 100 W 100 W 100 W 100 W - 100 W -
最大脉冲漏极电流 (IDM) - 128 A 144 A 128 A 144 A - 144 A -
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
表面贴装 - NO NO NO NO - YES -
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - GULL WING -
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING -
晶体管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON -

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