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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NDB608AE
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NDB608AE

产品描述N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB，共4页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDB608AE概述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDB608AE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级（Eas）200 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)36 A
最大漏极电流 (ID)36 A
最大漏源导通电阻0.042 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)144 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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DT3055
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FIELD EFFECT TRANSISTOR
Features
·
·
·
·
·
High Cell Density DMOS Technology
Low On-State Resistance
High Power and Current Capability
Fast Switching Speed
High Transient Tolerance
SOT-223
Dim
A
B
Min
6.30
2.90
6.71
3.30
2.22
0.92
1.10
1.55
0.025
0.66
4.55
—
10°
0.254
10°
Max
6.71
3.10
7.29
3.71
2.35
1.00
1.30
1.80
0.102
0.79
4.70
10°
16°
0.356
16°
A
B
C
D
E
D
C D
G
E
J
K
D
S
G
H
G
P
R
S
H
J
K
L
M
N
P
R
S
L
M
N
Mechanical Data
·
·
SOT-223 Plastic Case
Terminal Connections: See Outline Drawing
and Internal Circuit Diagram Above
25°C unless otherwise specified
Symbol
V
DSS
V
GSS
Note 1a Continuous
Pulsed
Note 1a
Note 1b
Note 1c
I
D
P
d
T
j
, T
STG
Value
60
±20
±4
±25
3.0
1.3
1.1
-65 to +150
All Dimensions in mm
Maximum Ratings
Drain-Source Voltage
Characteristic
Gate-Source Voltage - Continuous
Drain Current
Maximum Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
Unit
V
V
A
W
°C
Thermal Characteristics
Characteristic
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Note 1
Symbol
R
QJA
R
QJC
Value
42
12
Unit
°C/W
°C/W
Notes:
1. R
QJA
is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as
the solder mounting surface of the drain pins. R
QJC
is guaranteed by design while R
QCA
is determined by the user’s board design.
1a. With 1 in
2
oz 2 oz. copper mounting pad R
QJA
= 42°C/W.
1b. With 0.0066 in
2
oz 2 oz. copper mounting pad R
QJA
= 95°C/W.
1c. With 0.0123 in
2
oz 2 oz. copper mounting pad R
QJA
= 110°C/W.
DS11604 Rev. C-4
1 of 4
DT3055

NDB608AE相似产品对比

NDB608AE NDP608BE NDP608AE NDP608B NDP608A NDB608BE NDB608A NDB608B
描述 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 - - -
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild Fairchild - - -
Reach Compliance Code compli compli unknow compli unknow - - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - - -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - - -
最小漏源击穿电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V - - -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 36 A 32 A 36 A 32 A 36 A - - -
最大漏极电流 (ID) 36 A 32 A 36 A 32 A 36 A - - -
最大漏源导通电阻 0.042 Ω 0.045 Ω 0.042 Ω 0.045 Ω 0.042 Ω - - -
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - -
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB - - -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 - - -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 - - -
元件数量 1 1 1 1 1 - - -
端子数量 2 3 3 3 3 - - -
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - - -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C - - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - -
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - - -
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - -
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL - - -
最大功率耗散 (Abs) 100 W 100 W 100 W 100 W 100 W - - -
最大脉冲漏极电流 (IDM) 144 A 128 A 144 A 128 A 144 A - - -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - -
表面贴装 YES NO NO NO NO - - -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - -
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - - -
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE - - -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - - -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - - -

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