电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

HCTS32KMSR

产品描述OR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小220KB,共8页
制造商Harris
官网地址http://www.harris.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

HCTS32KMSR概述

OR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14

HCTS32KMSR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Harris
包装说明DFP, FL14,.3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY
系列HCT
JESD-30 代码R-CDFP-F14
JESD-609代码e0
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型OR GATE
最大I(ol)0.004 A
功能数量4
输入次数2
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup22 ns
传播延迟(tpd)20 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
筛选级别38535V;38534K;883S
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量200k Rad(Si) V
Base Number Matches1

HCTS32KMSR相似产品对比

HCTS32KMSR HCTS32DMSR 5962R9573601VXC 5962R9573601VCC 5962R9573601V9A HCTS32D/SAMPLE HCTS32HMSR
描述 OR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 OR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 OR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDFP14 OR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 OR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS OR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS, CDIP14 OR Gate, HCT Series, 4-Func, 2-Input, CMOS
包装说明 DFP, FL14,.3 DIP, DIP14,.3 , , DIE, , DIE,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
系列 HCT HCT HCT HCT HCT HCT HCT
JESD-30 代码 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 R-CDFP-F14 R-CDIP-T14 X-XUUC-N14 R-CDIP-T14 X-XUUC-N14
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 OR GATE OR GATE OR GATE OR GATE OR GATE OR GATE OR GATE
功能数量 4 4 4 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2 2 2 2
端子数量 14 14 14 14 14 14 14
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR UNSPECIFIED RECTANGULAR UNSPECIFIED
封装形式 FLATPACK IN-LINE FLATPACK IN-LINE UNCASED CHIP IN-LINE UNCASED CHIP
传播延迟(tpd) 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE FLAT THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL UPPER DUAL UPPER
厂商名称 Harris Harris - - - Harris Harris
JESD-609代码 e0 e0 e4 e4 e0 - -
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C - -55 °C
封装代码 DFP DIP - - DIE - DIE
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY - MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) GOLD GOLD TIN LEAD - -
总剂量 200k Rad(Si) V 200k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V 100k Rad(Si) V - -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 -

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2055  914  765  50  2460  9  51  56  37  48 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved