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IS61C67-20N: 产品描述16k X 1 high speed cmos static ram; 产品类别存储存储; 文件大小328KB，共8页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61C67-20N概述

16k X 1 high speed cmos static ram

IS61C67-20N规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T20
JESD-609代码	e0
长度	25.527 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端子数量	20
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm
最大待机电流	0.003 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

IS61C67-20N相似产品对比

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描述	16k X 1 high speed cmos static ram	16k X 1 high speed cmos static ram	16k X 1 high speed cmos static ram	16k X 1 high speed cmos static ram	16k X 1 high speed cmos static ram	16k X 1 high speed cmos static ram	16k X 1 high speed cmos static ram
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	DIP, DIP20,.3	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20	DIP, DIP20,.3	-	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20
Reach Compliance Code	unknown	unknown	not_compliant	unknown	not_compliant	-	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	-	-	EAR99
最长访问时间	20 ns	20 ns	25 ns	25 ns	15 ns	-	15 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	-	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T20	R-PDIP-T20	R-PDIP-T20	R-PDIP-T20	R-PDIP-T20	-	R-PDIP-T20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	-	e0
长度	25.527 mm	25.527 mm	25.527 mm	25.527 mm	25.527 mm	-	25.527 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	-	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	-	1
功能数量	1	1	1	1	1	-	1
端子数量	20	20	20	20	20	-	20
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	-	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	-	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C
组织	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1	16KX1	-	16KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	-	DIP
封装等效代码	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3	DIP20,.3	-	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	-	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	-	4.572 mm
最大待机电流	0.003 A	0.0001 A	0.002 A	0.0001 A	0.004 A	-	0.0001 A
最小待机电流	4.5 V	2 V	4.5 V	2 V	4.5 V	-	2 V
最大压摆率	0.085 mA	0.085 mA	0.075 mA	0.075 mA	0.1 mA	-	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	-	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	-	7.62 mm

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