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IRGIH50FD: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小214KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRGIH50FD概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA

IRGIH50FD规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	FAST
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	45 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-259AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	200 W
最大功率耗散 (Abs)	200 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	2.9 V
Base Number Matches	1

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IRGIH50FD相似产品对比

	IRGIH50FD	IRGIH50FU	IRGIH50FUPBF	IRGIH50FDPBF
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA
是否无铅	含铅	含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	FAST	FAST	FAST	FAST
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	45 A	45 A	45 A	45 A
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-259AA	TO-259AA	TO-259AA	TO-259AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	200 W	200 W	200 W	200 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40	40
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
VCEsat-Max	2.9 V	2.9 V	2.9 V	2.9 V
Base Number Matches	1	1	1	1

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