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IRGIH50FU

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小214KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRGIH50FU概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA

IRGIH50FU规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性FAST
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)45 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
门极发射器阈值电压最大值5.5 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-259AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值200 W
最大功率耗散 (Abs)200 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max2.9 V
Base Number Matches1

IRGIH50FU相似产品对比

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描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA
是否无铅 含铅 含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
其他特性 FAST FAST FAST FAST
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 45 A 45 A 45 A 45 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
门极发射器阈值电压最大值 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
门极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V
JEDEC-95代码 TO-259AA TO-259AA TO-259AA TO-259AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 200 W 200 W 200 W 200 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 40 40
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
VCEsat-Max 2.9 V 2.9 V 2.9 V 2.9 V
Base Number Matches 1 1 1 1
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