IRGS4B60KTRLPBF,IRGS4B60KTRLPBF pdf中文资料,IRGS4B60KTRLPBF引脚图,IRGS4B60KTRLPBF电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRGS4B60KTRLPBF

IRGS4B60KTRLPBF: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小361KB，共14页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRGS4B60KTRLPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

IRGS4B60KTRLPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	12 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE
最大降落时间（tf）	89 ns
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	63 W
认证状态	Not Qualified
最大上升时间（tr）	23 ns
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	199 ns
标称接通时间 (ton)	40 ns
Base Number Matches	1

IRGS4B60KTRLPBF相似产品对比

	IRGS4B60KTRLPBF	IRGS4B60K	IRGS4B60KTRL	IRGS4B60KTRR	IRGS4B60KTRRPBF
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, PLASTIC, D2PAK-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	不符合	符合
零件包装代码	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compli	compliant	compliant	compliant
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A
集电极-发射极最大电压	600 V	600 V	600 V	600 V	600 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大降落时间（tf）	89 ns	89 ns	89 ns	89 ns	89 ns
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e0	e0	e0	e3
湿度敏感等级	1	1	1	1	1
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	225	225	225	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	63 W	63 W	63 W	63 W	63 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大上升时间（tr）	23 ns	23 ns	23 ns	23 ns	23 ns
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30
晶体管应用	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	199 ns	199 ns	199 ns	199 ns	199 ns
标称接通时间 (ton)	40 ns	40 ns	40 ns	40 ns	40 ns
是否无铅	不含铅	-	含铅	含铅	不含铅
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	-	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
Base Number Matches	1	1	1	-	-

推荐资源

RTS762电路

高压盖革计数器电源

MAX873，875，876典型应用电路图b

方波－三角波压控振荡器电路图

具有按钮功能的8279键盘

调制器电路路原理

protell 99se经典教程: 这个教程是我学习时看的，今天翻箱底时找到的，来给大家传上...; zhangkai0215 PCB设计

找 arabic 字体，求助，我在网上找了两天了也没找到。: 大家好：我现在做单片机屏幕上的字体，现在我需要 arabic font6×8 8×8 8×16 12×16。不知道在哪可以下载到这些字体的点阵？有知道的请帮忙。谢谢。Best Regards...; eddie7434 嵌入式系统

12V700MA 电源方案: 要求1、输入电压85-265VAC低功耗输出12v700MA电压误差1%2、要过认证的外销烟机产品3、重点重点重点是要成本低4、欢迎友友探讨:loveliness:...; 刘小天电源技术

全MOS运放电路的调试: 对于我们这些菜鸟级别的模拟IC设计者来说，学习一下对现有的MOS运放电路进行一下宽长比的调试，很有好处的，但是刚开始入手感觉找不到下手点，这里有个报告，也是总结了一下别人调电路的经验，用的是STEP-BY-STEP的手算方法，然后通过SPICE仿真验证。...; linda_xia 电源技术

为什么EVC编程用USB下载老不通？: 为什么EVC编程用USB下载老不通？应怎样配置？...; niuqing 嵌入式系统

有奖直播：安森美先进的封装和驱动技术助力碳化硅能源应用报名开始啦~: 有奖直播：安森美先进的封装和驱动技术助力碳化硅能源应用报名开始啦~点击报名直播直播时间：2022年09月29日（周四）上午10：00-11：30直播主题：安森美先进的封装和驱动技术助力碳化硅能源应用直播内容：碳化硅在能源领域的电力电子变换器应用中带来的全新挑战安森美 SIC 器件可以简化拓扑设计，降低损耗，提高功率密度安森美 SIC 器件先进的封装解决方案带来分立元件更小的寄生参数和模块化的产品...; EEWORLD社区电源技术

用I/O命令访问PCI总线设备配置空间

摘要：通过对PCI协议配置机制的分析，提出一种直接用I/O命令访问PCI总线设备配置空间的方法，给出了相应的C语言程序，并在实际应用中得到验证，从而在大多数情况下避免了复杂的驱动程序开发。关键词： PCI总线配置空间操作系统 PCI总线推出以来，以其独有的特性受到众多厂商的青睐，已经成为计算机扩展总线的主流。目前，国内的许多技术人员已经具备开发PCI...[详细]
安全现场总线技术在汽车行业的应用综述

　　一直以来，安全控制技术一直落后于标准的控制技术。为了说明这一点，让我们回顾一下几十年来自动化控制系统的发展历程。30年前，几乎所有的控制系统都采用继电器控制方式，但这种方式安装和维护的成本较高，且重新配置系统比较麻烦，非常不灵活。基于这些原因，PLC及其他一些比较“智能”的控制技术就逐步取代了继电器控制方式，因为PLC减少了硬件配置，简化了安装和维护过程，且能非常灵活地适应以生产过程为本的控...[详细]
LED显示屏发光字常见问题和解决方法

　　1、 LED 使用寿命短：正规厂商生产的LED的理论使用寿命一般为80000个小时左右。而现在很多的发光字没用够一年就开始频繁更换LED模组，给客户和广告制作商都带来了很多麻烦和经济损失。　　解决方法：购买正规厂家生产的合格LED单颗灯粒(需有厂家提供的品质参数说明)，自己制作模组。切莫在电子显示屏市场贪图便宜购买LED单颗灯粒或已制作好的模组。如需购买模组，应看清模组上安装了几颗...[详细]
工业领域的人工智能导入正在变得简单易行

想了解工业物联网的人工智能处理，首先你需要考虑的是大量的数据处理在哪里发生。人工智能（AI）有能力使工业物联网（IIoT）的嵌入式系统更加灵敏和可靠，除了以更具成本效益的方式安排日常维护工作外，这项技术已经被用于监测机械状况和识别是否即将发生故障。当涉及到在嵌入式系统中部署人工智能技术时，考虑这些数据处理的位置是至关重要的。人工智能算法在计算性能上差异很大，同时处理算法所需的内容和处...[详细]
C编写8051单片机音乐播放程序

#define uchar unsigned char //定义一下方便使用 #define uint unsigned int #define ulong unsigned long #include reg52.h //包括一个52标准内核的头文件 char code dx516 _at_ 0x003b;//这是为了仿真设置的 sbit BEEP=P1^7; //喇叭输出脚 sbit...[详细]
巴菲特告别折叠手机，换了台iPhone 11

虽然巴菲特的公司伯克希尔・哈撒韦持有 5.6% 苹果股票，价值超过 700 亿美元，但在过去多年来，巴菲特一直都只用翻盖手机。　　据统计，在 2016 年，全球翻盖手机出货量还有 5.1 亿台，但已经处于逐年下降趋势。　　今天，巴菲特在接受 CNBC 采访时表示，他现在已经不用翻盖手机，换上了 iPhone 11。别人给了我好些台（智能手机），其中包括提姆·库克。　　这情况...[详细]
微软2018大复盘，神奇逆势增长原因究竟为何？

微软作为美国一家最古老的科技公司，没有背负沉重历史包袱，能够成功实现转型，并在全新模式面前成功站稳脚跟。在历史的长河中包括美国在内新科技公司都是各领风骚几十年甚至上百年，然后要么得上大公司病，要么很快不能适应新科技发展趋势，转型过慢，最终陷入困境。 2018年全球股市除了印度股市上涨外，包括美股在内全部下跌。不过，如果从瘸子里头挑将军的话，微软竟然独占鳌头、一枝独秀。复盘2018年微软的一年...[详细]
高通联发科分享OPPO下半年中端机型订单

集微网消息，市场传出，OPPO今年下半年推出的中端机型，除了高通拿下手机芯片订单之外，联发科也不缺席，并可望于今年第三季开始逐步出货。供应链传出，高通将可望于近期端出新款中高端手机芯片，将采用三星10纳米LPE（Low Power Early）制程，同时也可望搭载人工智能技术。联发科则在新款中高端芯片上，选择端出台积电12纳米FinFET制程与高通竞争，强调性能完全不输三星10nm制程，将...[详细]
揭开测试测量的小秘密——每周一考【第24周】

第24周问题如下。这一期是讨论题，有人用iPhone拍了一张照片，然后通过USB口拷贝到一台个人电脑中，作为一名工程师，您是否想过，这张照片由USB口进入电脑的时候，是变成什么样的电信号？我是否可以用一台示波器在该电信号进入硬盘之前，将它截获并解码，然后还原这张照片？题目24-1 : 如下图所示，我有一台安捷伦MSO9254A 2.5GHz带宽, 20GSa/s采样率示波器，一个USB2.0治具...[详细]
使用QEMU 建立mini2440的模拟仿真环境

1. 首先下载qemu for mini2440 git clone git://repo.or.cz/qemu/mini2440.git qemu 如果感觉速度慢，直接打包下载 http://repo.or.cz/w/qemu/mini2440.git/snapshot/HEAD.tar.gz 解压后，今日源代码的主目录中， # ./configure --target-list=arm-s...[详细]
stm32在rt-thread上的PWR(电源管理)

Low-power modes有三种Sleep mode、Stop mode、Standby mode，实现如下： void SYSCLKConfig_START(void) { ErrorStatus HSEStartUpStatus; /* 使能 HSE */ RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON); /* 等待 HSE 准备就绪 */ HSESta...[详细]
MSP430 LaunchPad定时器中断（连续模式）

#include msp430g2231.h int main( void ) { // Stop watchdog timer to prevent time out reset WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; P1DIR |= 0x01; TACCTL0 = CCIE;//使能CCIFG标志产生的中断 TACCR0 = 50000;（试验了一下，这句不加...[详细]
基于PIC单片机的点型光电感烟探测器设计

火灾是人类面临的最大威胁之一，火灾探测对防御火灾具有举足轻重的作用。光电感烟探测器是目前消防中使用的主要探测器之一。光电感烟探测器分为两大类：其中“线型光电感烟”是利用烟雾对光束能量的衰减原理制成的光电感烟探测器，该探测器正常工作需要比较长的空间距离，所以称之为“线型”，否则，烟雾对光束能量的衰减太小不能获取足够的报警信息；“点型光电感烟”是利用烟雾对光束的散射原理制作的光电感烟探测器，该探测器...[详细]
常见问题解答：如何设计采用Sallen-Key滤波器的抗混叠架构

简介此KWIK（技术诀窍与综合知识）电路应用笔记提供了解决特定设计挑战的分步指南。对于给定的一组应用电路要求，本文说明了如何利用通用公式应对这些要求，并使它们轻松扩展到其他类似的应用规格。在任何采样系统中，例如涉及ADC的测量系统中，有一种称为混叠的现象，它可能导致处于较高频带的信号“向下折叠”到奈奎斯特频带，使其与目标信号无法区分。奈奎斯特频率是采样速率fs的一半。由ADC采样的...[详细]
为什么电动汽车制造商要转向800伏电压

随着全球对电动汽车（EV）需求的不断增长，驾驶员对车辆性能的要求也日益提高。他们期望获得更长的续航里程和更快的充电速度，而这些都与电池的性能息息相关。因此，优化电池技术成为了提升电动汽车性能的关键所在。有许多研究项目专注于解决这些挑战，但最有希望的项目是提高电池电压。目前，大多数电动汽车的电池系统采用的是400伏的电压，但随着技术的进步，一些汽车制造商已经开始着手设计新一代的电动汽车，将电...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

随便看看