Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRGIH50FUPBF

文档预览

IRGIH50FUPBF: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小214KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IRGIH50FUPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA

IRGIH50FUPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	FAST
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	45 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-259AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	200 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管元件材料	SILICON
VCEsat-Max	2.9 V
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

IRGIH50FUPBF相似产品对比

	IRGIH50FUPBF	IRGIH50FU	IRGIH50FD	IRGIH50FDPBF
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA	Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-259AA
是否无铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3	FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	FAST	FAST	FAST	FAST
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	45 A	45 A	45 A	45 A
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V	1200 V	1200 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	20 V	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-259AA	TO-259AA	TO-259AA	TO-259AA
JESD-30 代码	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3	R-MSFM-P3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	200 W	200 W	200 W	200 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	40
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
VCEsat-Max	2.9 V	2.9 V	2.9 V	2.9 V
Base Number Matches	1	1	1	1

推荐资源

得贝牌FF40、BCD-274型电冰箱电路

用三只调压器星形接线获得0-433V电压电路图

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多