PDTA113ES,PDTA113ES pdf中文资料,PDTA113ES引脚图,PDTA113ES电路-Datasheet-电子工程世界

PDTA113ES: 产品描述PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小103KB，共18页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PDTA113ES概述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW

PDTA113ES规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-92
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JEDEC-95代码	TO-92
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

PDTA113ES相似产品对比

	PDTA113ES	PDTA113EE	PDTA113EK	PDTA113EM	PDTA113ET	PDTA113EU	PDTA113E
描述	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	-
零件包装代码	TO-92	SC-75	SOT-23	SC-101	SOT-23	SC-70	-
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	PLASTIC, SC-75, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN	PLASTIC PACKAGE-3	PLASTIC, SC-70, 3 PIN	-
针数	3	3	3	3	3	3	-
Reach Compliance Code	unknow	compli	unknow	compli	compli	compli	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	-
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-
最小直流电流增益 (hFE)	30	30	30	30	30	30	-
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PBCC-N3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	-
元件数量	1	1	1	1	1	1	-
端子数量	3	3	3	3	3	3	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	-
最大功率耗散 (Abs)	0.5 W	0.15 W	0.25 W	0.25 W	0.25 W	0.2 W	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	NO	YES	YES	YES	YES	YES	-
端子面层	TIN	Tin (Sn)	TIN	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	-
端子位置	BOTTOM	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-
厂商名称	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	-
湿度敏感等级	-	1	-	1	1	1	-
最高工作温度	-	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C	-
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	-	260	260	260	-
处于峰值回流温度下的最长时间	-	30	-	30	30	30	-

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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