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PDTA113EU

产品描述PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小103KB,共18页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PDTA113EU概述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW

PDTA113EU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SC-70
包装说明PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

PDTA113EU相似产品对比

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描述 PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) - -
零件包装代码 SC-70 SC-75 SOT-23 SC-101 SOT-23 TO-92 -
包装说明 PLASTIC, SC-70, 3 PIN PLASTIC, SC-75, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN PLASTIC PACKAGE-3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 -
针数 3 3 3 3 3 3 -
Reach Compliance Code compli compli unknow compli compli unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 -
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V -
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 30 30 30 -
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PBCC-N3 R-PDSO-G3 O-PBCY-T3 -
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3 -
湿度敏感等级 1 1 - 1 1 - -
元件数量 1 1 1 1 1 1 -
端子数量 3 3 3 3 3 3 -
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C 150 °C - -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE CYLINDRICAL -
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260 260 - -
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP -
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.15 W 0.25 W 0.25 W 0.25 W 0.5 W -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
表面贴装 YES YES YES YES YES NO -
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) TIN Tin (Sn) Tin (Sn) TIN -
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING NO LEAD GULL WING THROUGH-HOLE -
端子位置 DUAL DUAL DUAL BOTTOM DUAL BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 - 30 30 - -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING -
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON -
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