PDTA113EK,PDTA113EK pdf中文资料,PDTA113EK引脚图,PDTA113EK电路-Datasheet-电子工程世界

PDTA113EK: 产品描述PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小103KB，共18页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PDTA113EK概述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW

PDTA113EK规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JEDEC-95代码	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

PDTA113EK相似产品对比

	PDTA113EK	PDTA113EE	PDTA113EM	PDTA113ET	PDTA113EU	PDTA113ES	PDTA113E
描述	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 1 kW, R2 = 1 kW
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	-
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	-	-
零件包装代码	SOT-23	SC-75	SC-101	SOT-23	SC-70	TO-92	-
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	PLASTIC, SC-75, 3 PIN	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN	PLASTIC PACKAGE-3	PLASTIC, SC-70, 3 PIN	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	-
针数	3	3	3	3	3	3	-
Reach Compliance Code	unknow	compli	compli	compli	compli	unknow	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	-
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	-
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-
最小直流电流增益 (hFE)	30	30	30	30	30	30	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PBCC-N3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	O-PBCY-T3	-
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3	-
元件数量	1	1	1	1	1	1	-
端子数量	3	3	3	3	3	3	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	ROUND	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	CYLINDRICAL	-
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	-
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W	0.15 W	0.25 W	0.25 W	0.2 W	0.5 W	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	NO	-
端子面层	TIN	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	TIN	-
端子形式	GULL WING	GULL WING	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	-
端子位置	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	BOTTOM	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-
湿度敏感等级	-	1	1	1	1	-	-
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260	260	260	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	-	30	30	30	30	-	-

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