DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
Objectid | 1389854012 |
包装说明 | TFBGA, |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 20 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 |
长度 | 13 mm |
内存密度 | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 96 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 105 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 9 mm |
W632GG6KB12K | W632GG6KB15A | W632GG6KB15K | W632GG6KB12A | |
---|---|---|---|---|
描述 | DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96 | DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96 | DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96 | DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
包装说明 | TFBGA, | TFBGA, BGA96,9X16,32 | TFBGA, BGA96,9X16,32 | TFBGA, |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 20 ns | 0.255 ns | 0.255 ns | 20 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B96 | R-PBGA-B96 | R-PBGA-B96 | R-PBGA-B96 |
长度 | 13 mm | 13 mm | 13 mm | 13 mm |
内存密度 | 2147483648 bit | 2147483648 bit | 2147483648 bit | 2147483648 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 96 | 96 | 96 | 96 |
字数 | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 | 128000000 | 128000000 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 105 °C | 95 °C | 105 °C | 95 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 128MX16 | 128MX16 | 128MX16 | 128MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA | TFBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V | 1.575 V | 1.575 V | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V | 1.425 V | 1.425 V | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL | BALL | BALL |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 9 mm | 9 mm | 9 mm | 9 mm |
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