W632GG6KB15A,W632GG6KB15A pdf中文资料,W632GG6KB15A引脚图,W632GG6KB15A电路-Datasheet-电子工程世界

W632GG6KB15A: 产品描述DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96; 产品类别存储存储; 制造商Winbond(华邦电子); 官网地址http://www.winbond.com.tw; 标准

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W632GG6KB15A概述

DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96

W632GG6KB15A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Winbond(华邦电子)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA96,9X16,32
针数	96
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.255 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	667 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	8
JESD-30 代码	R-PBGA-B96
长度	13 mm
内存密度	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	96
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA96,9X16,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	8
最大待机电流	0.065 A
最大压摆率	0.37 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	9 mm

W632GG6KB15A相似产品对比

	W632GG6KB15A	W632GG6KB15K	W632GG6KB12A	W632GG6KB12K
描述	DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96	DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96	DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96	DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
包装说明	TFBGA, BGA96,9X16,32	TFBGA, BGA96,9X16,32	TFBGA,	TFBGA,
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.255 ns	0.255 ns	20 ns	20 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PBGA-B96	R-PBGA-B96	R-PBGA-B96	R-PBGA-B96
长度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
内存密度	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit	2147483648 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	96	96	96	96
字数	134217728 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words
字数代码	128000000	128000000	128000000	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C	105 °C	95 °C	105 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128MX16	128MX16	128MX16	128MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	1.575 V	1.575 V	1.575 V	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)	1.425 V	1.425 V	1.425 V	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)	1.5 V	1.5 V	1.5 V	1.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	9 mm	9 mm	9 mm	9 mm

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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