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W632GG6KB12A

产品描述DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96
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制造商Winbond(华邦电子)
官网地址http://www.winbond.com.tw
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W632GG6KB12A概述

DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96

W632GG6KB12A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Objectid1389854011
包装说明TFBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间20 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B96
长度13 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量96
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
宽度9 mm

W632GG6KB12A相似产品对比

W632GG6KB12A W632GG6KB15A W632GG6KB15K W632GG6KB12K
描述 DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96 DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96 DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96 DDR DRAM, 128MX16, 20ns, CMOS, PBGA96, 9 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, WBGA-96
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 TFBGA, TFBGA, BGA96,9X16,32 TFBGA, BGA96,9X16,32 TFBGA,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 20 ns 0.255 ns 0.255 ns 20 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96 R-PBGA-B96
长度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm
内存密度 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit 2147483648 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 96 96 96 96
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C 95 °C 105 °C 105 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 128MX16 128MX16 128MX16 128MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 9 mm 9 mm 9 mm 9 mm

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