电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BYT42GZ

产品描述1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小59KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
下载文档 选型对比 全文预览

BYT42GZ概述

1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
BYT42A(Z)---BYT42M(Z)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 1.25 A
FAST RECOVERY RECTIFIER
DO-15
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-15,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014 ounces,0.39 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYT
42A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYT
42B
100
70
100
BYT
42D
200
140
200
BYT
42G
400
280
400
1.25
BYT
42J
600
420
600
BYT
42K
800
560
800
BYT
42M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
40.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 1.25 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
150
1.4
5.0
100.0
200
18
45
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0261042
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYT42GZ相似产品对比

BYT42GZ BYT42AZ BYT42BZ BYT42DZ BYT42J BYT42JZ BYT42K BYT42KZ BYT42M BYT42MZ
描述 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SPI3,调试了一阵子依然没调通,期望大侠的指点.
两块板子,通过SPI3通讯,双线双向,一主一从,问题有一大堆:1.连接JLINK调试,发送数据可以被正确接收,发回的数据不正确(全是0xFF);2.去掉JLINK直接上电运行,收发都不行;另两个工程是同 ......
everkImage stm32/stm8
固态功率放大器与 TWTA 竞争 ECM 系统适用权
电子对抗或 ECM 系统通常由接收器、处理器、显示器和干扰发射器组成。到最近为止,固态放大器还不能满足 ECM 系统的发射器对功率、带宽和效率的要求。得益于逐渐成熟的 GaN 功率放大器 MM ......
btty038 无线连接
tcpmp编译错误???
错误信息为:fatal error C1083: Cannot open compiler intermediate file: 'C:\DOCUME~1\smc00618\LOCALS~1\Temp\a02420ex': Permission denied 那个大侠做过TCPMP的编译,帮我看看,我用的环 ......
searchaben 嵌入式系统
求大神 关于ATMEL STUDIO的问题
求大神告诉我,WIN7环境下的ATMEL STUDIO为什么在插上开发板后不能识别开发板(华硕不知道端口在哪儿,而且重新下载了ATMEL STUDIO 一次,第一次次是可以检测到的)。 ...
brucelijihui Microchip MCU
请教个关于电容的问题
为什么有的电容不给ESR这个参数? 还是我没有发现?eeworldpostqq...
杨柳青年 模拟电子
半波整流 — 滤波电路的两种不同解法
结合半波整流 — 滤波电路 ,分别采用牛顿 — 拉夫逊法和 PSPICE进行求解 ,均得出了正确的结果.经比较 ,两种方法各有所长.尤其是当电路中的非线性元件比较多 ,元件之间的非线性关系比较复杂 ,采 ......
小瑞 无线连接

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1322  1531  351  2672  2516  29  38  31  19  11 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved