电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BYT42BZ

产品描述1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小59KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
下载文档 选型对比 全文预览

BYT42BZ概述

1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
BYT42A(Z)---BYT42M(Z)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 1.25 A
FAST RECOVERY RECTIFIER
DO-15
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-15,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014 ounces,0.39 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYT
42A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYT
42B
100
70
100
BYT
42D
200
140
200
BYT
42G
400
280
400
1.25
BYT
42J
600
420
600
BYT
42K
800
560
800
BYT
42M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
40.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 1.25 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
150
1.4
5.0
100.0
200
18
45
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0261042
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYT42BZ相似产品对比

BYT42BZ BYT42AZ BYT42DZ BYT42GZ BYT42J BYT42JZ BYT42K BYT42KZ BYT42M BYT42MZ
描述 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
光电耦合器组成的脉冲电路
光电耦合器组成的脉冲电路这里介绍的光电耦合器是由发光二极管和光敏三极管组合起来的器件,发光二极管是把输入边的电信号变换成相同规律变化的光,而光脉敏三极管是把光又重新变换成变化规律相 ......
feifei 模拟电子
【FPGA告警信息】试图编译一个不存在的文件
Can't analyze file -- file E://quartusii/*/*.v is missing原因:试图编译一个不存在的文件,该文件可能被改名或者删除了措施:不管他,没什么影响...
eeleader FPGA/CPLD
mega16 关于中断的问题
在我的程序中存在定时器1中断和SPI中断,全局中断已经打开,我只写了定时器1的中断服务程序,在此中断服务程序中发生了SPI中断,但我没有写SPI的中断服务程序,这样会不会影响定时器1中断服务程 ......
sdxiao 嵌入式系统
PXA270键盘驱动问题
原理图如下: http://hi.eeworld.net/attachment/201003/23/17981_12693295607C3g.jpg 方向键原理图和这个一样。只是使用的是DKIN 不知道这样的接法能不能使用270的键盘中断。 现在 ......
yuexiaomei 嵌入式系统
网卡驱动开发过程中遇到的问题
大家好, 我在USB驱动开发,用的DM9601芯片,基本功能已经实现,现在问题是,如何设置网卡的速度(10M/100M),和双工(全双工和半双工),在WINDOW自带的驱动,通过本地连接的属性->高级选项里有(Li ......
ttlcoms 嵌入式系统
S3C2440核心板替代方案I.MX28核心板售价只需198元
随着三星S3C2440芯片的停产,汉科适时推出用于替代S3C2440核心板的HK-008核心板,此款核心板基于飞思卡尔的I.MX28处理器进行设计,为了便于此款核心板在各种场合的应用,核心板采取了紧凑的设计 ......
dongfanghanke 淘e淘

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 142  2891  746  2045  2873  3  42  33  32  2 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved