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BYT42AZ

产品描述1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小59KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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BYT42AZ概述

1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
BYT42A(Z)---BYT42M(Z)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 1.25 A
FAST RECOVERY RECTIFIER
DO-15
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-15,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014 ounces,0.39 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYT
42A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYT
42B
100
70
100
BYT
42D
200
140
200
BYT
42G
400
280
400
1.25
BYT
42J
600
420
600
BYT
42K
800
560
800
BYT
42M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
40.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 1.25 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
150
1.4
5.0
100.0
200
18
45
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0261042
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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