电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BYT42DZ

产品描述1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小59KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
下载文档 选型对比 全文预览

BYT42DZ概述

1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
BYT42A(Z)---BYT42M(Z)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 1.25 A
FAST RECOVERY RECTIFIER
DO-15
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-15,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014 ounces,0.39 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYT
42A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYT
42B
100
70
100
BYT
42D
200
140
200
BYT
42G
400
280
400
1.25
BYT
42J
600
420
600
BYT
42K
800
560
800
BYT
42M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
40.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 1.25 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
150
1.4
5.0
100.0
200
18
45
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0261042
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYT42DZ相似产品对比

BYT42DZ BYT42AZ BYT42BZ BYT42GZ BYT42J BYT42JZ BYT42K BYT42KZ BYT42M BYT42MZ
描述 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1.25 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
s3c2440板扩展IO口来驱动4×4矩阵键盘,出现问题
扩展IO口来驱动矩阵键盘 GPG1,3,5,7接列线,作为中断,EXTINT9,11,13,15; GPE11,13 GPB8,6接行线 相关程序部分如下: 将程序下载到开发板上之后,4×4键盘中只要有一个键按下,就一直产 ......
ganyutao 嵌入式系统
晒晒我做的自动升旗系统
4861548616 喜欢大家喜欢嘻嘻...
08221034 单片机
SDRAM的工作原理
本文以三星公司的SDRAM器件K4S561632C为例来是说明SDRAM的工作原理,并通过利用FPGA控制数据存取的顺序来实现对数字视频图像的旋转,截取、平移等实时处理。 31416...
半导体狂人 模拟电子
电子围栏,脉冲电子围栏,周界安全,周界防范系统性能对比
一、智能型周边安防脉冲电子围栏系统 ●国际周界安防的最新概念是什么?   全新的周界报警系统概念──  ◇“阻挡为主,报警为辅”威慑和报警双重功能集于一身  ◇安 ......
jek9528 工业自动化与控制
quartus 2 9.0编译无法进行
q2 9.0 无法编译 错误显示如下 怎样才能解决? Internal Error: Sub-system: AMERGE, File: /quartus/atm/amerge/amerge_kpt_op.cpp, Line: 220 cmp_merge_kpt_db Stack Trace: 0x3 ......
bjf304421 FPGA/CPLD
求助,149又烧掉了
都说单片机一般是不会烧的,可今天偏偏又烧掉了,极度郁闷,又查不出原因,只好向各位高手请教了。 给149加的输入电压是标准的3.3v,没有短路,其中端口2.0到2.7用作数码管显示,2.4-2.7分 ......
xlwjp 微控制器 MCU

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2164  1774  54  2402  2827  50  28  34  9  41 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved