28C17-25I/S概述

EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS

28C17-25I/S规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Vishay(威世)
包装说明	, DIE OR CHIP
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	250 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
字数	2048 words
字数代码	2000
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2KX8
封装等效代码	DIE OR CHIP
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
切换位	NO
最长写入周期时间 (tWC)	1 ms

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	28C17-25I/S	28C17-25I/D	28C17-25I/J	28C17-25I/K	28C17-25I/L	28C17-25I/P	28C17-25I/W	28C16-15M/W
描述	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28	EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS	EEPROM, 2KX8, 150ns, Parallel, CMOS
包装说明	, DIE OR CHIP	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCJ, LDCC32,.5X.6	DIP, DIP28,.6	, WAFER	, WAFER
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	250 ns	250 ns	250 ns	250 ns	250 ns	250 ns	250 ns	150 ns
命令用户界面	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
数据轮询	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000	2000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
封装等效代码	DIE OR CHIP	DIP28,.6	DIP28,.6	LCC32,.45X.55	LDCC32,.5X.6	DIP28,.6	WAFER	WAFER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	MILITARY
切换位	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最长写入周期时间 (tWC)	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms	1 ms
厂商名称	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	Vishay(威世)	-
就绪/忙碌	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	-
是否Rohs认证	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	-	-
JESD-30 代码	-	R-XDIP-T28	R-XDIP-T28	R-XQCC-N32	R-PQCC-J32	R-PDIP-T28	-	-
JESD-609代码	-	e0	e0	e0	e0	e0	-	-
端子数量	-	28	28	32	32	28	-	-
封装主体材料	-	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-
封装代码	-	DIP	DIP	QCCN	QCCJ	DIP	-	-
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-
封装形式	-	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	-	-
表面贴装	-	NO	NO	YES	YES	NO	-	-
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-
端子形式	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	J BEND	THROUGH-HOLE	-	-
端子节距	-	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	-	-
端子位置	-	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD	DUAL	-	-

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