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28C17-25I/D

产品描述EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28
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文件大小257KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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28C17-25I/D概述

EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28

28C17-25I/D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间250 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-XDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度16384 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
端子数量28
字数2048 words
字数代码2000
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
切换位NO
最长写入周期时间 (tWC)1 ms

28C17-25I/D相似产品对比

28C17-25I/D 28C17-25I/J 28C17-25I/K 28C17-25I/L 28C17-25I/P 28C17-25I/S 28C17-25I/W 28C16-15M/W
描述 EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28 EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28 EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32 EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32 EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP28 EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS EEPROM, 2KX8, 250ns, Parallel, CMOS EEPROM, 2KX8, 150ns, Parallel, CMOS
包装说明 DIP, DIP28,.6 DIP, DIP28,.6 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCJ, LDCC32,.5X.6 DIP, DIP28,.6 , DIE OR CHIP , WAFER , WAFER
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 250 ns 250 ns 250 ns 250 ns 250 ns 250 ns 250 ns 150 ns
命令用户界面 NO NO NO NO NO NO NO NO
数据轮询 YES YES YES YES YES YES YES YES
耐久性 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles 100000 Write/Erase Cycles
内存密度 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
字数 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000 2000
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -55 °C
组织 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8 2KX8
封装等效代码 DIP28,.6 DIP28,.6 LCC32,.45X.55 LDCC32,.5X.6 DIP28,.6 DIE OR CHIP WAFER WAFER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL MILITARY
切换位 NO NO NO NO NO NO NO NO
最长写入周期时间 (tWC) 1 ms 1 ms 1 ms 1 ms 1 ms 1 ms 1 ms 1 ms
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 - - -
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) -
JESD-30 代码 R-XDIP-T28 R-XDIP-T28 R-XQCC-N32 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28 - - -
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 - - -
端子数量 28 28 32 32 28 - - -
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - - -
封装代码 DIP DIP QCCN QCCJ DIP - - -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - -
封装形式 IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE - - -
就绪/忙碌 YES YES YES YES YES YES YES -
表面贴装 NO NO YES YES NO - - -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - -
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD J BEND THROUGH-HOLE - - -
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm - - -
端子位置 DUAL DUAL QUAD QUAD DUAL - - -
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