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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SIHLZ34S-GE3
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SIHLZ34S-GE3

产品描述Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小389KB，共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SIHLZ34S-GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
SIHLZ34S-GE3 - - 点击查看 点击购买

SIHLZ34S-GE3概述

Power MOSFET

SIHLZ34S-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）128 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)30 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.05 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)110 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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IRLZ34S, IRLZ34L, SiHLZ34S, SiHLZ34L
www.vishay.com
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
R
DS(on)
()
Q
g
max. (nC)
Q
gs
(nC)
Q
gd
(nC)
Configuration
V
GS
= 5 V
35
7.1
25
Single
D
FEATURES
60
0.05
•
•
•
•
•
•
•
Advanced process technology
Surface mount (IRLZ34S, SiHLZ34S)
Low-profile through-hole (IRLZ34L, SiHLZ34L)
Available
175 °C operating temperature
Fast switching
Available
Fully avalanche rated
Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
I
2
PAK
(TO-262)
D
2
PAK (TO-263)
Note
*
This datasheet provides information about parts that are
RoHS-compliant and / or parts that are non-RoHS-compliant. For
example, parts with lead (Pb) terminations are not RoHS-compliant.
Please see the information / tables in this datasheet for details.
G
DESCRIPTION
Third generation power MOSFETs from Vishay utilize
advanced processing techniques to achieve extremely low
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with
the fast switching speed and ruggedized device design that
Power MOSFETs are known for, provides the designer with
an extremely efficient and reliable device for use in a wide
variety of applications.
The D
2
PAK is a surface mount power package capable of
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the
highest power capability and the lowest possible
on-resistance in any existing surface mount package. The
D
2
PAK is suitable for high current applications because of
its low internal connection resistance and can dissipate up
to 2.0 W in a typical surface mount application.
The through-hole version (IRLZ34L, SiHLZ34L) is available
for low-profile applications.
G
G
D
S
D
S
S
N-Channel MOSFET
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free and Halogen-free
Lead (Pb)-free
D
2
PAK (TO-263)
SiHLZ34S-GE3
IRLZ34SPbF
I
2
PAK (TO-262)
-
IRLZ34LPbF
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
C
= 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain
Current
a
V
GS
at 5 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
SYMBOL
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
P
D
dV/dt
T
J
, T
stg
for 10 s
LIMIT
60
± 10
30
21
110
0.59
128
88
3.7
4.5
-55 to +175
300
W/°C
mJ
W
V/ns
°C
A
UNIT
V
Linear Derating Factor
Single Pulse Avalanche Energy
b
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation (PCB mount)
e
Peak Diode Recovery dV/dt
c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak temperature)
d
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V
DD
= 25 V, Starting T
J
= 25 °C, L = 285 μH, R
g
= 25
,
I
AS
= 30 A (see fig. 12).
c. I
SD
30 A, dI/dt
200 A/μs, V
DD
V
DS
, T
J
175 °C.
d. 1.6 mm from case.
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).
S16-0015-Rev. E, 18-Jan-16
Document Number: 90418
1
For technical questions, contact:
hvm@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

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SIHLZ34S-GE3 SIHLZ34L SIHLZ34L-E3 SIHLZ34S IRLZ34L IRLZ34LPBF IRLZ34STRL IRLZ34STRR
描述 Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET Power MOSFET MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 , SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknown compliant unknown unknown
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C 175 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 88 W 88 W 88 W 88 W 88 W 88 W 88 W 88 W
表面贴装 YES NO NO YES NO NO YES YES
是否无铅 不含铅 含铅 - 含铅 - 不含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 - 不符合 不符合 符合 不符合 不符合
零件包装代码 D2PAK TO-262AA - D2PAK TO-262AA TO-262AA - -
针数 4 3 - 4 3 3 3 3
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY - AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas） 128 mJ 128 mJ - 128 mJ 220 mJ 220 mJ 220 mJ 220 mJ
最小漏源击穿电压 60 V 60 V - 60 V 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A - 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.05 Ω 0.05 Ω - 0.05 Ω 0.05 Ω 0.05 Ω 0.05 Ω 0.05 Ω
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-262AA - TO-263AB TO-262AA TO-262AA - -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 - R-PSSO-G2 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1 - 1 1 1 1 1
端子数量 2 3 - 2 3 3 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE - SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 240 - 240 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 225 225
最大脉冲漏极电流 (IDM) 110 A 110 A - 110 A 110 A 110 A 110 A 110 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE - GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 30 - 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
外壳连接 - DRAIN - DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN

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