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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> WEDPN4M72V-125B2M
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WEDPN4M72V-125B2M

产品描述Synchronous DRAM, 4MX72, 6ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219
产品类别存储    存储   
文件大小914KB，共13页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WEDPN4M72V-125B2M在线购买

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WEDPN4M72V-125B2M概述

Synchronous DRAM, 4MX72, 6ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219

WEDPN4M72V-125B2M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码BGA
包装说明BGA, BGA219,16X16,50
针数219
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B219
内存密度301989888 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量219
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA219,16X16,50
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.225 A
最大压摆率0.7 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

WEDPN4M72V-125B2M相似产品对比

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描述 Synchronous DRAM, 4MX72, 6ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219 Synchronous DRAM, 4MX72, 5.5ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219 Synchronous DRAM, 4MX72, 5.5ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219 Synchronous DRAM, 4MX72, 7ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219 Synchronous DRAM, 4MX72, 7ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219 Synchronous DRAM, 4MX72, 7ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219 Synchronous DRAM, 4MX72, 6ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219 Synchronous DRAM, 4MX72, 6ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219 Synchronous DRAM, 4MX72, 5.5ns, CMOS, PBGA219, 21 X 21 MM, PLASTIC, BGA-219
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
包装说明 BGA, BGA219,16X16,50 BGA, BGA219,16X16,50 BGA, BGA, BGA219,16X16,50 BGA, BGA219,16X16,50 BGA, BGA219,16X16,50 BGA, BGA, BGA219,16X16,50 BGA,
针数 219 219 219 219 219 219 219 219 219
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 5.5 ns 5.5 ns 7 ns 7 ns 7 ns 6 ns 6 ns 5.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219 S-PBGA-B219
内存密度 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit 301989888 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 72 72 72 72 72 72 72 72 72
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 219 219 219 219 219 219 219 219 219
字数 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 70 °C 125 °C 70 °C 85 °C 125 °C 70 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C - -40 °C -55 °C - -40 °C -40 °C
组织 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72 4MX72
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL INDUSTRIAL MILITARY COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Microsemi - - Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
最大时钟频率 (fCLK) 125 MHz 133 MHz - 100 MHz 100 MHz 100 MHz - 125 MHz -
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON - COMMON -
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE -
封装等效代码 BGA219,16X16,50 BGA219,16X16,50 - BGA219,16X16,50 BGA219,16X16,50 BGA219,16X16,50 - BGA219,16X16,50 -
电源 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V 3.3 V - 3.3 V -
刷新周期 4096 4096 - 4096 4096 4096 - 4096 -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm -

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