IS49RL36320-083FBLI,IS49RL36320-083FBLI pdf中文资料,IS49RL36320-083FBLI引脚图,IS49RL36320-083FBLI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS49RL36320-083FBLI: 产品描述DDR DRAM,; 产品类别存储存储; 文件大小6MB，共122页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS49RL36320-083FBLI概述

DDR DRAM,

IS49RL36320-083FBLI规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	LBGA,
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B168
长度	13.5 mm
内存密度	1207959552 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	168
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE
座面最大高度	1.25 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.42 V
最小供电电压 (Vsup)	1.28 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	13.5 mm

IS49RL36320-083FBLI相似产品对比

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描述	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,	DDR DRAM,
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,	LBGA,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
访问模式	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST	MULTI BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH	AUTO REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168	S-PBGA-B168
长度	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm
内存密度	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bi	1207959552 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	36	36	36	36	36	36	36	36	36	36
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
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工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C	95 °C
组织	32MX36	32MX36	32MX36	32MX36	32MX36	32MX36	32MX36	32MX36	32MX36	32MX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA	LBGA
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE
座面最大高度	1.25 mm	1.25 mm	1.25 mm	1.25 mm	1.25 mm	1.25 mm	1.25 mm	1.25 mm	1.25 mm	1.25 mm
最大供电电压 (Vsup)	1.42 V	1.42 V	1.42 V	1.42 V	1.42 V	1.42 V	1.42 V	1.42 V	1.42 V	1.42 V
最小供电电压 (Vsup)	1.28 V	1.28 V	1.28 V	1.28 V	1.28 V	1.28 V	1.28 V	1.28 V	1.28 V	1.28 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm	1 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm	13.5 mm

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