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IS49RL36320-093EBL

产品描述DDR DRAM,
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文件大小6MB,共122页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS49RL36320-093EBL概述

DDR DRAM,

IS49RL36320-093EBL规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明LBGA,
Reach Compliance Codeunknown
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO REFRESH
JESD-30 代码S-PBGA-B168
长度13.5 mm
内存密度1207959552 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度36
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度95 °C
最低工作温度
组织32MX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
座面最大高度1.25 mm
最大供电电压 (Vsup)1.42 V
最小供电电压 (Vsup)1.28 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13.5 mm
Base Number Matches1

IS49RL36320-093EBL相似产品对比

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描述 DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM, DDR DRAM,
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明 LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA, LBGA,
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow unknow
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
其他特性 AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH AUTO REFRESH
JESD-30 代码 S-PBGA-B168 S-PBGA-B168 S-PBGA-B168 S-PBGA-B168 S-PBGA-B168 S-PBGA-B168 S-PBGA-B168 S-PBGA-B168 S-PBGA-B168 S-PBGA-B168
长度 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm
内存密度 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bi 1207959552 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 36 36 36 36 36 36 36 36 36 36
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 168 168 168 168 168 168 168 168 168 168
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C 95 °C
组织 32MX36 32MX36 32MX36 32MX36 32MX36 32MX36 32MX36 32MX36 32MX36 32MX36
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA LBGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE GRID ARRAY, LOW PROFILE
座面最大高度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm
最大供电电压 (Vsup) 1.42 V 1.42 V 1.42 V 1.42 V 1.42 V 1.42 V 1.42 V 1.42 V 1.42 V 1.42 V
最小供电电压 (Vsup) 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V 1.28 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER INDUSTRIAL OTHER INDUSTRIAL OTHER INDUSTRIAL OTHER INDUSTRIAL OTHER INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
宽度 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm 13.5 mm

 
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