72104S35J,72104S35J pdf中文资料,72104S35J引脚图,72104S35J电路-Datasheet-电子工程世界

72104S35J: 产品描述PLCC-44, Tube; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共32页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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72104S35J概述

PLCC-44, Tube

72104S35J规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	Integrated Device Technology
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	PLCC
针数	44
制造商包装代码	PL44
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
最大时钟频率 (fCLK)	22.2 MHz
JESD-30 代码	S-PQCC-J44
JESD-609代码	e0
内存密度	36864 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
端子数量	44
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC44,.7SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

72104S35J相似产品对比

	72104S35J	72103L80L	72103L120L	72103S120P
描述	PLCC-44, Tube	FIFO, 2KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, CQCC44	FIFO, 2KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CQCC44	FIFO, 2KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP40
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	35 ns	80 ns	120 ns	120 ns
最大时钟频率 (fCLK)	22.2 MHz	10 MHz	7 MHz	7 MHz
JESD-30 代码	S-PQCC-J44	S-XQCC-N44	S-XQCC-N44	R-PDIP-T40
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	36864 bit	18432 bit	18432 bit	18432 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO
内存宽度	9	9	9	9
端子数量	44	44	44	40
字数	4096 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	4000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX9	2KX9	2KX9	2KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCN	QCCN	DIP
封装等效代码	LDCC44,.7SQ	LCC44,.65SQ	LCC44,.65SQ	DIP40,.6
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	260	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.008 A	0.002 A	0.002 A	0.008 A
最大压摆率	0.14 mA	0.14 mA	0.14 mA	0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	J BEND	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	6	6	6
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-

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