72103S120P,72103S120P pdf中文资料,72103S120P引脚图,72103S120P电路-Datasheet-电子工程世界

72103S120P: 产品描述FIFO, 2KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP40; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共32页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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72103S120P概述

FIFO, 2KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP40

72103S120P规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
最大时钟频率 (fCLK)	7 MHz
JESD-30 代码	R-PDIP-T40
JESD-609代码	e0
内存密度	18432 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
端子数量	40
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	6

72103S120P相似产品对比

	72103S120P	72103L80L	72103L120L	72104S35J
描述	FIFO, 2KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, PDIP40	FIFO, 2KX9, 80ns, Asynchronous, CMOS, CQCC44	FIFO, 2KX9, 120ns, Asynchronous, CMOS, CQCC44	PLCC-44, Tube
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	80 ns	120 ns	35 ns
最大时钟频率 (fCLK)	7 MHz	10 MHz	7 MHz	22.2 MHz
JESD-30 代码	R-PDIP-T40	S-XQCC-N44	S-XQCC-N44	S-PQCC-J44
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	18432 bit	18432 bit	18432 bit	36864 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO
内存宽度	9	9	9	9
端子数量	40	44	44	44
字数	2048 words	2048 words	2048 words	4096 words
字数代码	2000	2000	2000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2KX9	2KX9	2KX9	4KX9
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	QCCN	QCCN	QCCJ
封装等效代码	DIP40,.6	LCC44,.65SQ	LCC44,.65SQ	LDCC44,.7SQ
封装形状	RECTANGULAR	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.008 A	0.002 A	0.002 A	0.008 A
最大压摆率	0.14 mA	0.14 mA	0.14 mA	0.14 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	J BEND
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	6	6	6	NOT SPECIFIED
厂商名称	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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