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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT4067EJ-10

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MT4067EJ-10: 产品描述Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PQCC18; 产品类别存储存储; 文件大小315KB，共9页; 制造商Micron Technology; 官网地址http://www.mdtic.com.tw/

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MT4067EJ-10概述

Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PQCC18

MT4067EJ-10规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Micron Technology
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	100 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQCC-J18
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM
内存宽度	4
端子数量	18
字数	65536 words
字数代码	64000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC18,.33X.53
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	256
最大压摆率	0.055 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD

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描述	Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PQCC18	Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-18	Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-18	Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-18	Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, MOS, PQCC18	Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, MOS, PQCC18
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology	Micron Technology
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	100 ns	120 ns	100 ns	150 ns	150 ns	120 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQCC-J18	R-CDIP-T18	R-CDIP-T18	R-CDIP-T18	R-PQCC-J18	R-PQCC-J18
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM	PAGE MODE DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4
端子数量	18	18	18	18	18	18
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4	64KX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	DIP	DIP	DIP	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	LDCC18,.33X.53	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	LDCC18,.33X.53	LDCC18,.33X.53
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	256	256	256	256	256	256
最大压摆率	0.055 mA	0.055 mA	0.055 mA	0.045 mA	0.045 mA	0.055 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	NO	YES	YES
技术	MOS	CMOS	CMOS	CMOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	DUAL	DUAL	DUAL	QUAD	QUAD

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