电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MT4067EJ-12

产品描述Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, MOS, PQCC18
产品类别存储    存储   
文件大小315KB,共9页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MT4067EJ-12概述

Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, MOS, PQCC18

MT4067EJ-12规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间120 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PQCC-J18
JESD-609代码e0
内存密度262144 bit
内存集成电路类型PAGE MODE DRAM
内存宽度4
端子数量18
字数65536 words
字数代码64000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC18,.33X.53
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
最大压摆率0.055 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD

MT4067EJ-12文档预览

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

MT4067EJ-12相似产品对比

MT4067EJ-12 MT4067C-12 MT4067C-10 MT4067C-15 MT4067EJ-15 MT4067EJ-10
描述 Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, MOS, PQCC18 Page Mode DRAM, 64KX4, 120ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-18 Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-18 Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, CMOS, CDIP18, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-18 Page Mode DRAM, 64KX4, 150ns, MOS, PQCC18 Page Mode DRAM, 64KX4, 100ns, MOS, PQCC18
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 120 ns 120 ns 100 ns 150 ns 150 ns 100 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PQCC-J18 R-CDIP-T18 R-CDIP-T18 R-CDIP-T18 R-PQCC-J18 R-PQCC-J18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM PAGE MODE DRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4
端子数量 18 18 18 18 18 18
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4 64KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ DIP DIP DIP QCCJ QCCJ
封装等效代码 LDCC18,.33X.53 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 LDCC18,.33X.53 LDCC18,.33X.53
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER CHIP CARRIER
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 256 256 256 256 256
最大压摆率 0.055 mA 0.055 mA 0.055 mA 0.045 mA 0.045 mA 0.055 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO NO YES YES
技术 MOS CMOS CMOS CMOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD DUAL DUAL DUAL QUAD QUAD

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1682  214  740  2758  2188  34  5  15  56  45 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved