54F410DM概述

54F410DM规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	National Semiconductor（TI ）
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A001.A.2.C
Is Samacsys	N
最长访问时间	12 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T18
JESD-609代码	e0
内存密度	64 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	18
字数	16 words
字数代码	16
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	16X4
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	TTL
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

54F410DM相似产品对比

	54F410DM	54F410	54F410LM	74F410PC	74F410SC	74F410
描述	Register StackÃ16 x 4 RAM TRI-STATEE Output Register	Register StackÃ16 x 4 RAM TRI-STATEE Output Register	Register StackÃ16 x 4 RAM TRI-STATEE Output Register	Register StackÃ16 x 4 RAM TRI-STATEE Output Register	Register StackÃ16 x 4 RAM TRI-STATEE Output Register	Register StackÃ16 x 4 RAM TRI-STATEE Output Register
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-
厂商名称	National Semiconductor（TI ）	-	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	National Semiconductor（TI ）	-
包装说明	DIP, DIP18,.3	-	CERPACK-20	DIP, DIP18,.3	SOP, SO20(UNSPEC)	-
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	-
ECCN代码	3A001.A.2.C	-	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99	-
最长访问时间	12 ns	-	12 ns	10 ns	10 ns	-
JESD-30 代码	R-GDIP-T18	-	R-GDFP-F20	R-PDIP-T18	R-PDSO-G20	-
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	-
内存密度	64 bi	-	64 bi	64 bi	64 bi	-
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	-
内存宽度	4	-	4	4	4	-
功能数量	1	-	1	1	1	-
端子数量	18	-	20	18	20	-
字数	16 words	-	16 words	16 words	16 words	-
字数代码	16	-	16	16	16	-
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-
最高工作温度	125 °C	-	125 °C	70 °C	70 °C	-
组织	16X4	-	16X4	16X4	16X4	-
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	-	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装代码	DIP	-	DFP	DIP	SOP	-
封装等效代码	DIP18,.3	-	LCC20,.35SQ	DIP18,.3	SO20(UNSPEC)	-
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	IN-LINE	-	FLATPACK	IN-LINE	SMALL OUTLINE	-
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
电源	5 V	-	5 V	5 V	5 V	-
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
座面最大高度	5.08 mm	-	2.286 mm	5.08 mm	2.65 mm	-
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V	5 V	5 V	-
表面贴装	NO	-	YES	NO	YES	-
技术	TTL	-	TTL	TTL	CMOS	-
温度等级	MILITARY	-	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子形式	THROUGH-HOLE	-	FLAT	THROUGH-HOLE	GULL WING	-
端子节距	2.54 mm	-	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	-
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
宽度	7.62 mm	-	6.731 mm	7.62 mm	7.5 mm	-
Base Number Matches	1	-	1	1	1	-

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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