GD54HCT02J概述

NOR Gate, CMOS, CDIP14,

GD54HCT02J规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	LG Semicon Co Ltd
包装说明	DIP, DIP14,.3
Reach Compliance Code	unknown
JESD-30 代码	R-XDIP-T14
JESD-609代码	e0
负载电容（CL）	50 pF
逻辑集成电路类型	NOR GATE
最大I（ol）	0.004 A
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
电源	5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup	29 ns
认证状态	Not Qualified
施密特触发器	NO
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

GD54HCT02J相似产品对比

	GD54HCT02J	GD74HCT02D	GD74HCT02J	GD74HCT02	GD54HC02J	GD74HC02D	GD74HC02J	GD74HC02
描述	NOR Gate, CMOS, CDIP14,	NOR Gate, CMOS, PDSO14,	NOR Gate, CMOS, CDIP14,	NOR Gate, CMOS, PDIP14,	NOR Gate, CMOS, CDIP14,	NOR Gate, CMOS, PDSO14,	NOR Gate, CMOS, CDIP14,	NOR Gate, CMOS, PDIP14,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow
JESD-30 代码	R-XDIP-T14	R-PDSO-G14	R-XDIP-T14	R-PDIP-T14	R-XDIP-T14	R-PDSO-G14	R-XDIP-T14	R-PDIP-T14
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
负载电容（CL）	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
逻辑集成电路类型	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE	NOR GATE
最大I（ol）	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
端子数量	14	14	14	14	14	14	14	14
最高工作温度	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C	125 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	SOP	DIP	DIP	DIP	SOP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP14,.3	SOP14,.25	DIP14,.3	DIP14,.3	DIP14,.3	SOP14,.25	DIP14,.3	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V	2/6 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
施密特触发器	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
表面贴装	NO	YES	NO	NO	NO	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	MILITARY	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	LG Semicon Co Ltd	-	-	-	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd	LG Semicon Co Ltd
Prop。Delay @ Nom-Sup	29 ns	24 ns	24 ns	24 ns	26 ns	22 ns	22 ns	-

推荐资源

求教有什么双通道运放可替代LM386: 主要就是需要用LM386的典型用法(20dB)来放大一个麦克风(OMAP3530)信号,后面需要在用一个运放搬移一下直流电压,所以想找一个双通道版本的LM386,我这现在TI的网站读取数据有问题.事情又比较急.只 ......; astwyg 模拟电子

亲爱的同学们Qorvo 2021 校园招聘来了，赶快行动起来吧。: 下面来看一下Qorvo的招聘信息吧。 Qorvo 是一家设计、开发及生产“射频”集成电路产品的美国独资企业。公司为移动产品、基础设施和国防航天市场提供包括功率放大器和 ......; alan000345 无线连接

OLED 显示器技术及功能：电源供应是否会影响显示器画质？: 62544 作者：Oliver Nachbaur，德州仪器显示电源系统工程经理有机发光二极管 (OLED) 显示器越来越普遍，在手机、媒体播放器及小型入门级电视等产品中最为显著。不同于标准的液晶显示器， ......; 德州仪器模拟与混合信号

周立功ARM 培训 PPt 全部: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:28 编辑 ...; 493025560 电子竞赛

中科蓝讯AB32VG1开发RT-Thread 视频教程: 1.中科蓝讯AB32VG1开发RT-Thread 配置教程 RT-Thread Studio是一站式的 RTT 开发工具，通过简单易用的图形化配置系统以及丰富的软件包和组件资源，让物联网开发变得简单和高效。 2. ......; 火辣西米秀国产芯片交流

可否让我加入技术交流群: 可否让我加入技术交流群 ...; 从从从 51单片机

倪荣生：RFID发展的新热点--移动超高频技术

　　倪荣生：我今天讲的是RFID发展的新热点--移动的超高频技术。作为移动的RFID技术，RFID是短程的通讯，就是使用方和给你提供服务的那一方之间的通讯。移动运营实际上有三个经营手段：一个就是你自己拿着卡去公共汽车上刷一下，实际上这也是一种变向移动的方式。这个时候你拿着卡是被动的方式，读写器是主动的方式。第二个是我们使用移动读写器，读写器是主动的，标签是被动的。比如说你到一个地方去参观，那个地...[详细]
超高频RFID:以核心创优势以竞争促发展

近期，规模庞大、具有显著推广和示范作用的“北京市城市汽车环保检测RFID系统项目”由清华同方、先施科技联合竞投中标。本次竞标成功也意味着，国内超高频RFID品牌在与国际品牌的角逐中胜出。为此，RFID射频快报特别访问了深圳先施科技总经理冯建华先生，就国内与国际品牌各自的竞争优势以及国内品牌如何积极应对国际竞争的问题，与冯总进行了深入交流。　 RFID射频快报记者（以下简称RFID射频快报）：冯...[详细]
合众达电子与中国科大再建Xilinx联合实验室

　　7月9日上午，中国科技大学与美国赛灵思(XILINX)联合建设的“中国科技大学—XILINX公司联合实验室”揭牌仪式在中国科技大学信息科学技术学院电子科学与技术系隆重举行。　　联合实验室采用了Xilinx公司SPARTAN-3E系列为主的FPGA教学实验开发系统，另外配备多套开发软件，主要承担了中国科技大学“PLD与数字系统设计”研究生课程和电子科学与技术系“电子系统设计”课程的教学任务...[详细]
Intel芯片再次告破黑客展示攻击代码

　　卡巴斯基的安全研究人员称其发现了如何攻击Intel微处理器的远程攻击代码，据传，这一代码可以通过TCP/IP包和JavaScript代码到达用户系统。　　目前受影响的系统包括Windows XP，Vista，Windows Server 2003，Windows Server 2008，Linux甚至是BSD和Mac。但所幸大多数错误可以由Intel和BIOS厂商联合进行修复。　　卡...[详细]
Tensilica通用控制CPU在创达特VDSL2中应用

　　Tensilica与创达特公司今日共同宣布双方签署了第二轮Diamond 212GP通用控制CPU内核授权协议。此前创达特公司应用Diamond 212GP内核成功地进行了一款VDSL2 SOC的设计。Diamond 212GP是支持single-MAC DSP功能、面积紧凑、低功耗、IO接口丰富、内存子系统灵活、可综合的32位高性能通用控制CPU内核。　　创达特科技公司CEO谭耀龙表示...[详细]
非接触式高压验电器的改进(图)

　　安全是生产过程中的重中之重，对于危险性的作业尤其重要，在高压线路停电检修时必须遵循停电、验电、挂地再开始操作的规定。验电操作必须通过验电器来完成。验电器是用来检测电力设备上是否存在电压的常用电力安全工具之一，通过验电器明确验证停电设备是否确无电压，再进行其他操作，以防止出现带电装接地线（合接地刀闸)、误碰有电设备等恶性事故的发生。因此，在电力行业中验电器的作用不可忽视。　　工程背景 ...[详细]
汽车电子庞大市场吸引众厂商逐鹿华南

　　根据市场调查公司StrategyAnalyt的预测，2008年全球汽车电子市场的规模，将会从2004年的1200多亿美元，增加到1600多亿美元。而中国汽车工业协会也预测，今年中国汽车电子的市场规模，有可能达到3000亿元。中国工程院院士、武汉大学校长刘经南教授分析，汽车电子行业的快速发展已引起全球关注，如汽车车载娱乐、导航信息系统等，车身电子产品产值将从2003年的10.32亿元增长到20...[详细]
ST串行EEPROM系列新增1MHz产品

2008 年 7 月 3 日意法半导体（ ST ）推出 1MHz 双线串行总线 EEPROM 存储器芯片，存储密度分别为 256-Kbit 、 512-Kbit 和 1-Mbit ，兼容 I 2C Fast-Mode-Puls 模式，数据速率可达 I 2C Fast-Mode 的 2.5 倍。工作频率为 1MHz ， M 24M...[详细]
AMD、英特尔之间芯片之战未来进一步升级

　　据国外媒体报道，AMD公司正在研制一种应用于移动设备和笔记本电脑的低功率处理器，该公司于周五证实了这个消息。　　该芯片将与英特尔的原子处理器竞争，有可能取代配备于儿童的二甲酚橙笔记本电脑上的AMD低功耗单晶片Geode x86系统。基于x86的系统芯片设计于2003年曾得到美国国家半导体的嘉奖，Geode是还可应用于薄客户机和嵌入式设备。AMD公司拒绝发布芯片的推出日期。　　AMD去...[详细]
机器人技术能否掀起医疗领域新兴革命？

　　机器人技术的进步正在完全改变着今天的医生手术室。通过机器人的控制和协助，任何伤害或疾病的手术都比以往任何时候变得更快、更准确、更少的扩散。因为机器人有利于加快手术过程，手术变得更加安全。对于传统的外科手术，持续几个小时实施手术的外科医生可能变得非常疲劳。因此，外科医生的手可能会犯灾难性的错误，特别是复杂而微妙的手术，例如神经外科手术。但机器人的手从不会劳累，而它也不会因颤抖而位置不当。　...[详细]
手机电视芯片市场高峰期即将到来

　　近几年，手机电视一直被认为是手机新兴应用中的热点领域，在彩屏、拍照、MP3、视屏功能手机市场都经历过爆炸式增长后，手机电视被寄予了很大的期望。然而在过去的几年里，由于各种因素影响，手机电视的应用并没有给市场带来新的惊喜，据统计，2007年底全球移动电视用户数为2970万人，占全球手机用户数比重还不足1%。　　但是未来几年随着手机电视市场应用环境的逐渐成熟，手机电视将迎来爆发增长期。其中手...[详细]
“后摩尔定律时代”芯片厂商的发展策略

　　在可能被称作“后摩尔定律”的时代，芯片和半导体设备制造商走到了十字路口。　　按照著名的摩尔定律，过去四十年里半导体产业无情地追求等比例缩减，这在未来将会成为一个非常难实现的目标。　　但在日前（July 15-17）Semicon West设备展上，出现了一些不同的声音，看来是到了重新考虑等比例缩减，并想出其他增加半导体器件价值方法的时候了。　　尽管Intel和IBM这样领先的IC...[详细]
FPGA设计中仿真技术解决故障的方法

　　本文针对FPGA实际开发过程中，出现故障后定位困难、反复修改代码编译时间过长、上板后故障解决无法确认的问题，提出了一种采用仿真的方法来定位、解决故障并验证故障解决方案。可以大大的节约开发时间，提高开发效率。　　FPGA近年来在越来越多的领域中应用，很多大通信系统（如通信基站等）都用其做核心数据的处理。但是过长的编译时间，在研发过程中使得解决故障的环节非常令人头痛。本文介绍的就是一种用仿真...[详细]
当之无愧的巨人英特尔“开启了一个时代”

　　1978年6月8号，Intel发布了其第一款16位的微处理器--8086，还有一句著名的广告语“开启了一个时代”。这可能有点夸大其词？但是现在看来还是相当准确的。当8086的光环退去之后，其支撑架构——后来我们所熟知的x86也成为了最成功的业界技术标准。　　“X86”是Intel和其他几家公司处理器所支持的一组机器指令集，它大致确定了芯片的使用规范。从8086到80186、80286...[详细]
新一代RISC微处理器ARM11的特点及关键技术

ARM11系列微处理器是ARM公司近年推出的新一代RISC处理器，它是ARM新指令架构——ARMv6的第一代设计实现。　　该系列主要有ARM1136J,ARM1156T2和ARM1176JZ三个内核型号，分别针对不同应用领域。　　本文将对全新的ARMv6架构进行介绍，并深入分析ARM11处理器的先进特点和关键技术。 ARMv6结构体系　　实现新一代微处理器的第一步就是订立一个...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多