Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BC859B/A2,215

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BC859B/A2,215: 产品描述100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小131KB，共8页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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BC859B/A2,215概述

100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

100 mA, 30 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-236AB

BC859B/A2,215规格参数

参数名称	属性值
端子数量	3
晶体管极性	PNP
最大集电极电流	0.1000 A
最大集电极发射极电压	30 V
加工封装描述	塑料 PACKAGE-3
无铅	Yes
欧盟RoHS规范	Yes
中国RoHS规范	Yes
状态	ACTIVE
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子涂层	锡
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
结构	单一的
元件数量	1
晶体管应用	放大器
晶体管元件材料	硅
最大环境功耗	0.2500 W
晶体管类型	通用小信号
最小直流放大倍数	420
额定交叉频率	100 MHz

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DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BC859; BC860

PNP general purpose transistors

Product data sheet

Supersedes data of 1999 May 28

2004 Jan 16

BC859B/A2,215相似产品对比

	BC859B/A2,215	BC859C,215	BC859C,235	BC860B,215	BC860B,235	BC859B/AU,215	BC859B,215
描述	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
表面贴装	Yes	YES	YES	YES	YES	Yes	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	双	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	双	DUAL
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
晶体管应用	放大器	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	放大器	AMPLIFIER
晶体管元件材料	硅	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	硅	SILICON
Brand Name	-	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	-	NXP Semiconduc
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合	符合	-	符合
厂商名称	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)
零件包装代码	-	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236	-	TO-236
包装说明	-	PLASTIC PACKAGE-3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	PLASTIC PACKAGE-3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	PLASTIC PACKAGE-3
针数	-	3	3	3	3	-	3
制造商包装代码	-	SOT23	SOT23	SOT23	SOT23	-	SOT23
Reach Compliance Code	-	compli	compli	compli	compli	-	compli
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99
其他特性	-	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	-	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-	0.1 A
集电极-发射极最大电压	-	30 V	30 V	45 V	45 V	-	30 V
配置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	-	420	420	220	220	-	220
JEDEC-95代码	-	TO-236AB	TO-236AB	TO-236AB	TO-236AB	-	TO-236AB
JESD-30 代码	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3
JESD-609代码	-	e3	e3	e3	e3	-	e3
湿度敏感等级	-	1	1	1	1	-	1
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	150 °C
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260	260	260	-	260
极性/信道类型	-	PNP	PNP	PNP	PNP	-	PNP
最大功率耗散 (Abs)	-	0.3 W	0.25 W	0.3 W	0.25 W	-	0.3 W
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
端子面层	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间	-	40	40	40	40	-	40
标称过渡频率 (fT)	-	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	-	100 MHz
VCEsat-Max	-	0.65 V	0.65 V	0.65 V	0.65 V	-	0.65 V

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