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BC859B/AU,215

产品描述100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小131KB,共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BC859B/AU,215概述

100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

100 mA, 30 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-236AB

BC859B/AU,215规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性PNP
最大集电极电流0.1000 A
最大集电极发射极电压30 V
加工封装描述塑料 PACKAGE-3
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
最大环境功耗0.2500 W
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数420
额定交叉频率100 MHz

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DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
BC859; BC860
PNP general purpose transistors
Product data sheet
Supersedes data of 1999 May 28
2004 Jan 16

BC859B/AU,215相似产品对比

BC859B/AU,215 BC859C,215 BC859C,235 BC860B,215 BC860B,235 BC859B,215 BC859B/A2,215
描述 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
表面贴装 Yes YES YES YES YES YES Yes
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
晶体管应用 放大器 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER 放大器
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Brand Name - NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc NXP Semiconduc -
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 符合 -
厂商名称 - NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) -
零件包装代码 - TO-236 TO-236 TO-236 TO-236 TO-236 -
包装说明 - PLASTIC PACKAGE-3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 PLASTIC PACKAGE-3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 PLASTIC PACKAGE-3 -
针数 - 3 3 3 3 3 -
制造商包装代码 - SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 SOT23 -
Reach Compliance Code - compli compli compli compli compli -
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
其他特性 - LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE LOW NOISE -
最大集电极电流 (IC) - 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A -
集电极-发射极最大电压 - 30 V 30 V 45 V 45 V 30 V -
配置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) - 420 420 220 220 220 -
JEDEC-95代码 - TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB -
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 -
JESD-609代码 - e3 e3 e3 e3 e3 -
湿度敏感等级 - 1 1 1 1 1 -
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
峰值回流温度(摄氏度) - 260 260 260 260 260 -
极性/信道类型 - PNP PNP PNP PNP PNP -
最大功率耗散 (Abs) - 0.3 W 0.25 W 0.3 W 0.25 W 0.3 W -
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
端子面层 - Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) -
处于峰值回流温度下的最长时间 - 40 40 40 40 40 -
标称过渡频率 (fT) - 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz -
VCEsat-Max - 0.65 V 0.65 V 0.65 V 0.65 V 0.65 V -
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