BC859B,215概述

100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

100 mA, 30 V, PNP, 硅, 小信号晶体管, TO-236AB

BC859B,215规格参数

参数名称	属性值
Brand Name	NXP Semiconduc
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	TO-236
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
制造商包装代码	SOT23
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	220
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.65 V

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DISCRETE SEMICONDUCTORS

DATA SHEET

BC859; BC860

PNP general purpose transistors

Product data sheet

Supersedes data of 1999 May 28

2004 Jan 16

BC859B,215相似产品对比

	BC859B,215	BC859C,215	BC859C,235	BC860B,215	BC860B,235	BC859B/AU,215	BC859B/A2,215
描述	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	Yes	Yes
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	双	双
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	放大器	放大器
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	硅	硅
Brand Name	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	NXP Semiconduc	-	-
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	-	-
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	-	-
零件包装代码	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236	-	-
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3	PLASTIC PACKAGE-3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	PLASTIC PACKAGE-3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	-	-
针数	3	3	3	3	3	-	-
制造商包装代码	SOT23	SOT23	SOT23	SOT23	SOT23	-	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	-	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	-
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	-	-
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	-	-
集电极-发射极最大电压	30 V	30 V	30 V	45 V	45 V	-	-
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	-
最小直流电流增益 (hFE)	220	420	420	220	220	-	-
JEDEC-95代码	TO-236AB	TO-236AB	TO-236AB	TO-236AB	TO-236AB	-	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	-	-
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	-	-
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	-	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	-	-
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	-	-
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W	0.25 W	0.3 W	0.25 W	-	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	40	40	40	-	-
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	-	-
VCEsat-Max	0.65 V	0.65 V	0.65 V	0.65 V	0.65 V	-	-

BC859B,215

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