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BTC1510F3-TQ2-R

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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BTC1510F3-TQ2-R概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

BTC1510F3-TQ2-R规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
Base Number Matches1

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
BTC1510F3
Preliminary
NPN SILICON TRANSISTOR
NPN EPITAXIAL PLANAR
TRANSISTOR
DESCRIPTION
As a NPN Darlington transistor the UTC
BTC1510F3
is
designed for general purpose amplifier and low speed switching
application.
FEATURES
* Very high BV
CEO
* Very low V
CE(SAT)
* Very high current gain
Lead-free:
BTC1510F3L
Halogen-free: BTC1510F3G
ORDERING INFORMATION
Normal
BTC1510F3-TQ2-R
BTC1510F3-TQ2-T
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
BTC1510F3L-TQ2-R BTC1510F3G-TQ2-R
BTC1510F3L-TQ2-T BTC1510F3G-TQ2-T
Package
TO-263
TO-263
Pin Assignment
1
2
3
B
C
E
B
C
E
Packing
Tape Reel
Tube
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R223-002.a

BTC1510F3-TQ2-R相似产品对比

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描述 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli -
Is Samacsys N N N N N N -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 -
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 -
最大集电极电流 (IC) - 10 A - 10 A 10 A 10 A -
集电极-发射极最大电压 - 150 V - 150 V 150 V 150 V -
配置 - DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR - DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) - 100 - 100 100 100 -
JEDEC-95代码 - TO-263AB - TO-263AB TO-263AB TO-263AB -
JESD-30 代码 - R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 -
元件数量 - 1 - 1 1 1 -
端子数量 - 2 - 2 2 2 -
最高工作温度 - 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C -
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 - NPN - NPN NPN NPN -
表面贴装 - YES - YES YES YES -
端子形式 - GULL WING - GULL WING GULL WING GULL WING -
端子位置 - SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE -
晶体管应用 - AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 - SILICON - SILICON SILICON SILICON -

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