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BTC1510F3L-TQ2-R

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小121KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
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BTC1510F3L-TQ2-R概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

BTC1510F3L-TQ2-R规格参数

参数名称属性值
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codecompli
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
BTC1510F3
Preliminary
NPN SILICON TRANSISTOR
NPN EPITAXIAL PLANAR
TRANSISTOR
DESCRIPTION
As a NPN Darlington transistor the UTC
BTC1510F3
is
designed for general purpose amplifier and low speed switching
application.
FEATURES
* Very high BV
CEO
* Very low V
CE(SAT)
* Very high current gain
Lead-free:
BTC1510F3L
Halogen-free: BTC1510F3G
ORDERING INFORMATION
Normal
BTC1510F3-TQ2-R
BTC1510F3-TQ2-T
Ordering Number
Lead Free
Halogen Free
BTC1510F3L-TQ2-R BTC1510F3G-TQ2-R
BTC1510F3L-TQ2-T BTC1510F3G-TQ2-T
Package
TO-263
TO-263
Pin Assignment
1
2
3
B
C
E
B
C
E
Packing
Tape Reel
Tube
www.unisonic.com.tw
Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 3
QW-R223-002.a

BTC1510F3L-TQ2-R相似产品对比

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描述 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
厂商名称 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD -
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 - SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 -
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli -
Is Samacsys N N N N N N -
最大集电极电流 (IC) 10 A - 10 A - 10 A 10 A -
集电极-发射极最大电压 150 V - 150 V - 150 V 150 V -
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR - DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR - DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR -
最小直流电流增益 (hFE) 100 - 100 - 100 100 -
JEDEC-95代码 TO-263AB - TO-263AB - TO-263AB TO-263AB -
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2 - R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 -
元件数量 1 - 1 - 1 1 -
端子数量 2 - 2 - 2 2 -
最高工作温度 150 °C - 150 °C - 150 °C 150 °C -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 NPN - NPN - NPN NPN -
表面贴装 YES - YES - YES YES -
端子形式 GULL WING - GULL WING - GULL WING GULL WING -
端子位置 SINGLE - SINGLE - SINGLE SINGLE -
晶体管应用 AMPLIFIER - AMPLIFIER - AMPLIFIER AMPLIFIER -
晶体管元件材料 SILICON - SILICON - SILICON SILICON -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 -
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