Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BTC1510F3G-TQ2-T

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BTC1510F3G-TQ2-T: 产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小121KB，共4页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/

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BTC1510F3G-TQ2-T概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

BTC1510F3G-TQ2-T规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	compli
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	10 A
集电极-发射极最大电压	150 V
配置	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

BTC1510F3

Preliminary

NPN SILICON TRANSISTOR

NPN EPITAXIAL PLANAR

TRANSISTOR

DESCRIPTION

As a NPN Darlington transistor the UTC

BTC1510F3

designed for general purpose amplifier and low speed switching

application.

FEATURES

* Very high BV

CEO

* Very low V

CE(SAT)

* Very high current gain

Lead-free:

BTC1510F3L

Halogen-free: BTC1510F3G

ORDERING INFORMATION

Normal

BTC1510F3-TQ2-R

BTC1510F3-TQ2-T

Ordering Number

Lead Free

Halogen Free

BTC1510F3L-TQ2-R BTC1510F3G-TQ2-R

BTC1510F3L-TQ2-T BTC1510F3G-TQ2-T

Package

TO-263

Pin Assignment

Packing

Tape Reel

Tube

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R223-002.a

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描述	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD	-
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	-
Is Samacsys	N	N	N	N	N	N	-
最大集电极电流 (IC)	10 A	-	10 A	-	10 A	10 A	-
集电极-发射极最大电压	150 V	-	150 V	-	150 V	150 V	-
配置	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	-	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	-	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	-
最小直流电流增益 (hFE)	100	-	100	-	100	100	-
JEDEC-95代码	TO-263AB	-	TO-263AB	-	TO-263AB	TO-263AB	-
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	-
元件数量	1	-	1	-	1	1	-
端子数量	2	-	2	-	2	2	-
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	-	150 °C	150 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-
极性/信道类型	NPN	-	NPN	-	NPN	NPN	-
表面贴装	YES	-	YES	-	YES	YES	-
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	-
端子位置	SINGLE	-	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	-
晶体管应用	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	-	AMPLIFIER	AMPLIFIER	-
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	-	SILICON	SILICON	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-

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