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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> SST27SF256-70-3C-PGE
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SST27SF256-70-3C-PGE

产品描述Flash, 32KX8, 70ns, PDIP28, LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AH, DIP-28
产品类别存储    存储   
文件大小339KB，共28页
制造商Silicon Laboratories Inc
标准
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SST27SF256-70-3C-PGE概述

Flash, 32KX8, 70ns, PDIP28, LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AH, DIP-28

SST27SF256-70-3C-PGE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Silicon Laboratories Inc
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
命令用户界面NO
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDIP-T28
长度36.83 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
切换位NO
宽度15.24 mm

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256 Kbit / 512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit (x8)
Many-Time Programmable Flash
SST27SF256 / SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
SST27SF256 / 512 / 010 / 0205.0V-Read 256Kb / 512Kb / 1Mb / 2Mb (x8) MTP flash memories
Data Sheet
FEATURES:
• Organized as 32K x8 / 64K x8 / 128K x8 / 256K x8
• 4.5-5.5V Read Operation
• Superior Reliability
– Endurance: At least 1000 Cycles
– Greater than 100 years Data Retention
• Low Power Consumption
– Active Current: 20 mA (typical)
– Standby Current: 10 µA (typical)
• Fast Read Access Time
– 70 ns
– 90 ns
• Fast Byte-Program Operation
– Byte-Program Time: 20 µs (typical)
– Chip Program Time:
0.7 seconds (typical) for SST27SF256
1.4 seconds (typical) for SST27SF512
2.8 seconds (typical) for SST27SF010
5.6 seconds (typical) for SST27SF020
• Electrical Erase Using Programmer
– Does not require UV source
– Chip-Erase Time: 100 ms (typical)
• TTL I/O Compatibility
• JEDEC Standard Byte-wide EPROM Pinouts
• Packages Available
– 32-lead PLCC
– 32-lead TSOP (8mm x 14mm)
– 28-pin PDIP for SST27SF256/512
– 32-pin PDIP for SST27SF010/020
PRODUCT DESCRIPTION
The SST27SF256/512/010/020 are a 32K x8 / 64K x8 /
128K x8 / 256K x8 CMOS, Many-Time Programmable
(MTP) low cost flash, manufactured with SST’s proprietary,
high performance SuperFlash technology. The split-gate
cell design and thick oxide tunneling injector attain better
reliability and manufacturability compared with alternate
approaches. These MTP devices can be electrically erased
and programmed at least 1000 times using an external pro-
grammer with a 12 volt power supply. They have to be
erased prior to programming. These devices conform to
JEDEC standard pinouts for byte-wide memories.
Featuring high performance Byte-Program, the
SST27SF256/512/010/020 provide a Byte-Program time of
20 µs. Designed, manufactured, and tested for a wide
spectrum of applications, these devices are offered with an
endurance of at least 1000 cycles. Data retention is rated at
greater than 100 years.
The SST27SF256/512/010/020 are suited for applications
that require infrequent writes and low power nonvolatile
storage. These devices will improve flexibility, efficiency,
and performance while matching the low cost in nonvolatile
applications that currently use UV-EPROMs, OTPs, and
mask ROMs.
To meet surface mount and conventional through hole
requirements, the SST27SF256/512 are offered in 32-lead
PLCC, 32-lead TSOP and 28-pin PDIP packages. The
,
SST27SF010/020 are offered in 32-pin PDIP 32-lead
,
PLCC, and 32-lead TSOP packages. See Figures 1, 2, and
3 for pin assignments.
©2003 Silicon Storage Technology, Inc.
S71152-06-000
11/03
1
Device Operation
The SST27SF256/512/010/020 are a low cost flash
solution that can be used to replace existing UV-
EPROM, OTP, and mask ROM sockets. These devices
are functionally (read and program) and pin compatible
with industry standard EPROM products. In addition to
EPROM functionality, these devices also support elec-
trical Erase operation via an external programmer. They
do not require a UV source to erase, and therefore the
packages do not have a window.
Read
The Read operation of the SST27SF256/512/010/020 is
controlled by CE# and OE#. Both CE# and OE# have to be
low for the system to obtain data from the outputs. Once
the address is stable, the address access time is equal to
the delay from CE# to output (T
CE
). Data is available at the
output after a delay of T
OE
from the falling edge of OE#,
assuming that CE# pin has been low and the addresses
have been stable for at least T
CE
-T
OE.
When the CE# pin is
high, the chip is deselected and a typical standby current of
10 µA is consumed. OE# is the output control and is used
to gate data from the output pins. The data bus is in high
impedance state when either CE# or OE# is high.
The SST logo and SuperFlash are registered trademarks of Silicon Storage Technology, Inc.
MTP is a trademark of Silicon Storage Technology, Inc.
These specifications are subject to change without notice.

SST27SF256-70-3C-PGE相似产品对比

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描述 Flash, 32KX8, 70ns, PDIP28, LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AH, DIP-28 Flash, 32KX8, 90ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-016AE, LCC-32 Flash, 32KX8, 90ns, PDIP28, LEAD FREE, PLASTIC, MO-015AH, DIP-28 Flash, 32KX8, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, MO-016AE, LCC-32 Flash, 32KX8, 70ns, PDSO32, 8 X 14 MM, LEAD FREE, MO-142BA, TSOP1-32 Flash, 32KX8, 90ns, PDSO32, 8 X 14 MM, LEAD FREE, MO-142BA, TSOP1-32
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc Silicon Laboratories Inc
零件包装代码 DIP QFJ DIP QFJ TSOP1 TSOP1
包装说明 DIP, DIP28,.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6 DIP, DIP28,.6 QCCJ, LDCC32,.5X.6 TSOP1, TSSOP32,.56,20 TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数 28 32 28 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 90 ns 90 ns 70 ns 70 ns 90 ns
命令用户界面 NO NO NO NO NO NO
数据轮询 NO NO NO NO NO NO
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PDIP-T28 R-PQCC-J32 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
长度 36.83 mm 13.97 mm 36.83 mm 13.97 mm 12.4 mm 12.4 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 32 28 32 32 32
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP QCCJ DIP QCCJ TSOP1 TSOP1
封装等效代码 DIP28,.6 LDCC32,.5X.6 DIP28,.6 LDCC32,.5X.6 TSSOP32,.56,20 TSSOP32,.56,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 3.556 mm 5.08 mm 3.556 mm 1.2 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA 0.03 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE J BEND GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL QUAD DUAL QUAD DUAL DUAL
切换位 NO NO NO NO NO NO
宽度 15.24 mm 11.43 mm 15.24 mm 11.43 mm 8 mm 8 mm

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