Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> AS29LV800T-90TI

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AS29LV800T-90TI: 产品描述Flash, 512KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48; 产品类别存储存储; 文件大小231KB，共25页; 制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]

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AS29LV800T-90TI概述

Flash, 512KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48

AS29LV800T-90TI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码	TSOP1
包装说明	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数	48
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
备用内存宽度	8
启动块	TOP
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0
长度	18.4 mm
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1,15
端子数量	48
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	3/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	12 mm

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6HSWHPEHU

$6/9

9 0 î . î &026 )ODVK ((3520

)HDWXUHV

• Organization: 1M×8/512K×16

• Sector architecture

- One 16K; two 8K; one 32K; and fifteen 64K byte sectors

- One 8K; two 4K; one 16K; and fifteen 32K word sectors

- Boot code sector architecture—T (top) or B (bottom)

- Erase any combination of sectors or full chip

• Single 2.7-3.6V power supply for read/write operations

• Sector protection

• High speed 70/80/90/120 ns address access time

• Automated on-chip programming algorithm

- Automatically programs/verifies data at specified address

• Automated on-chip erase algorithm

- Automatically preprograms/erases chip or specified sectors

• Hardware RESET pin

- Resets internal state machine to read mode

• Low power consumption

- 200 nA typical automatic sleep mode current

- 200 nA typical standby current

- 10 mA typical read current

• JEDEC standard software, packages and pinouts

- 48-pin TSOP

- 44-pin SO (availability TBD)

• Detection of program/erase cycle completion

- DQ7 DATA polling

- DQ6 toggle bit

- DQ2 toggle bit

- RY/BY output

• Erase suspend/resume

- Supports reading data from or programming data to

a sector not being erased

• Low V

write lock-out below 1.5V

• 10 year data retention at 150C

• 100,000 write/erase cycle endurance

/RJLF EORFN GLDJUDP

RY/BY

RESET

BYTE

Command

A-1

Program/erase

control

Program voltage

generator

Chip enable

Output enable

Logic

STB

Data latch

Sector protect/

erase voltage

switches

Erase voltage

generator

DQ0–DQ15

Input/output

buffers

detector

A0–A18

Timer

Address latch

STB

Y decoder

Y gating

X decoder

Cell matrix

6HOHFWLRQ JXLGH

29LV800-70R

Maximum access time

Maximum chip enable access time

Maximum output enable access time

5HJXODWHG YROWDJH UDQJH RI WR 9

29LV800-80

29LV800-90

29LV800-120

120

Unit

9/26/01; V.1.5

$OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU

P. 1 of 25

&RS\ULJKW $OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU $OO ULJKWV UHVHUYHG

$6/9

)XQFWLRQDO GHVFULSWLRQ

The AS29LV800 is an 8 megabit, 3.0 volt Flash memory organized as 1 Megabyte of 8 bits/512Kbytes of 16 bits each. For

flexible erase and program capability, the 8 megabits of data is divided into nineteen sectors: one 16K, two 8K, one 32K, and

fifteen 64k byte sectors; or one 8K, two 4K, one 16K, and fifteen 32K word sectors. The ×8 data appears on DQ0–DQ7; the ×16

data appears on DQ0–DQ15. The AS29LV800 is offered in JEDEC standard 48-pin TSOP and 44-pin SO (availability TBD)

packages. This device is designed to be programmed and erased in-system with a single 3.0V V

supply. The device can also be

reprogrammed in standard EPROM programmers.

The AS29LV800 offers access times of 70/80/90/120 ns, allowing 0-wait state operation of high speed microprocessors. To

eliminate bus contention the device has separate chip enable (CE), write enable (WE), and output enable (OE) controls. Word

mode (×16 output) is selected by BYTE = high. Byte mode (×8 output) is selected by BYTE = low.

The AS29LV800 is fully compatible with the JEDEC single power supply Flash standard. Write commands are sent to the

command register using standard microprocessor write timings. An internal state-machine uses register contents to control the

erase and programming circuitry. Write cycles also internally latch addresses and data needed for the programming and erase

operations. Read data from the device occurs in the same manner as other Flash or EPROM devices. Use the program command

sequence to invoke the automated on-chip programming algorithm that automatically times the program pulse widths and

verifies proper cell margin. Use the erase command sequence to invoke the automated on-chip erase algorithm that preprograms

the sector (if it is not already programmed before executing the erase operation), times the erase pulse widths, and verifies

proper cell margin.

Boot sector architecture enables the system to boot from either the top (AS29LV800T) or the bottom (AS29LV800B) sector.

Sector erase architecture allows specified sectors of memory to be erased and reprogrammed without altering data in other

sectors. A sector typically erases and verifies within 1.0 seconds. Hardware sector protection disables both program and erase

operations in all, or any combination of, the nineteen sectors. The device provides true background erase with Erase Suspend,

which puts erase operations on hold to either read data from, or program data to, a sector that is not being erased. The chip erase

command will automatically erase all unprotected sectors.

A factory shipped AS29LV800 is fully erased (all bits = 1). The programming operation sets bits to 0. Data is programmed into

the array one byte at a time in any sequence and across sector boundaries. A sector must be erased to change bits from 0 to 1.

Erase returns all bytes in a sector to the erased state (all bits = 1). Each sector is erased individually with no effect on other

sectors.

The device features single 3.0V power supply operation for Read, Write, and Erase functions. Internally generated and regulated

voltages are provided for the Program and Erase operations. A low V

detector automatically inhibits write operations during

power transtitions. The RY/BY pin, DATA polling of DQ7, or toggle bit (DQ6) may be used to detect end of program or erase

operations. The device automatically resets to the read mode after program/erase operations are completed. DQ2 indicates

which sectors are being erased.

The AS29LV800 resists accidental erasure or spurious programming signals resulting from power transitions. Control register

architecture permits alteration of memory contents only after successful completion of specific command sequences. During

power up, the device is set to read mode with all program/erase commands disabled when V

is less than V

LKO

(lockout

voltage). The command registers are not affected by noise pulses of less than 5 ns on OE, CE, or WE. To initiate write commands,

CE and WE must be logical zero and OE a logical 1.

When the device’s hardware RESET pin is driven low, any program/erase operation in progress is terminated and the internal

state machine is reset to read mode. If the RESET pin is tied to the system reset circuitry and a system reset occurs during an

automated on-chip program/erase algorithm, data in address locations being operated on may become corrupted and requires

rewriting. Resetting the device enables the system’s microprocessor to read boot-up firmware from the Flash memory.

The AS29LV800 uses Fowler-Nordheim tunnelling to electrically erase all bits within a sector simultaneously. Bytes are

programmed one at a time using EPROM programming mechanism of hot electron injection.

9/26/01; V.1.5

$OOLDQFH 6HPLFRQGXFWRU

P. 3 of 25

AS29LV800T-90TI相似产品对比

	AS29LV800T-90TI	AS29LV800B-70RSC	AS29LV800B-70RTI	AS29LV800B-80SC	AS29LV800B-90SC	AS29LV800T-120TC	AS29LV800T-70RSC	AS29LV800T-80SI	AS29LV800T-90SC	AS29LV800T-90TC
描述	Flash, 512KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48	Flash, 512KX16, 70ns, PDSO44, PLASTIC, MO-175AA, SO-44	Flash, 512KX16, 70ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO44, PLASTIC, MO-175AA, SO-44	Flash, 512KX16, 90ns, PDSO44, PLASTIC, MO-175AA, SO-44	Flash, 512KX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48	Flash, 512KX16, 70ns, PDSO44, PLASTIC, MO-175AA, SO-44	Flash, 512KX16, 80ns, PDSO44, PLASTIC, MO-175AA, SO-44	Flash, 512KX16, 90ns, PDSO44, PLASTIC, MO-175AA, SO-44	Flash, 512KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP1-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]	ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
零件包装代码	TSOP1	SOIC	TSOP1	SOIC	SOIC	TSOP1	SOIC	SOIC	SOIC	TSOP1
包装说明	TSOP1, TSSOP48,.8,20	PLASTIC, MO-175AA, SO-44	TSOP1, TSSOP48,.8,20	SOP, SOP44,.63	SOP, SOP44,.63	TSOP1, TSSOP48,.8,20	PLASTIC, MO-175AA, SO-44	SOP, SOP44,.63	SOP, SOP44,.63	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数	48	44	48	44	44	48	44	44	44	48
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	90 ns	70 ns	70 ns	80 ns	90 ns	120 ns	70 ns	80 ns	90 ns	90 ns
备用内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
启动块	TOP	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	TOP	TOP	TOP	TOP	TOP
命令用户界面	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
数据轮询	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	18.4 mm	28.2 mm	18.4 mm	28.2 mm	28.2 mm	18.4 mm	28.2 mm	28.2 mm	28.2 mm	18.4 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
部门数/规模	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15	1,2,1,15
端子数量	48	44	48	44	44	48	44	44	44	48
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16	512KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	SOP	TSOP1	SOP	SOP	TSOP1	SOP	SOP	SOP	TSOP1
封装等效代码	TSSOP48,.8,20	SOP44,.63	TSSOP48,.8,20	SOP44,.63	SOP44,.63	TSSOP48,.8,20	SOP44,.63	SOP44,.63	SOP44,.63	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	NOT SPECIFIED	240	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	240	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	240
电源	3/3.3 V	3.3 V	3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	1.2 mm	3.1 mm	1.2 mm	3.1 mm	3.1 mm	1.2 mm	3.1 mm	3.1 mm	3.1 mm	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最大压摆率	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	3 V	3 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	3 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3.3 V	3.3 V	3 V	3 V	3 V	3.3 V	3 V	3 V	3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	1.27 mm	0.5 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.5 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	12 mm	12.6 mm	12 mm	12.6 mm	12.6 mm	12 mm	12.6 mm	12.6 mm	12.6 mm	12 mm

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　　一、位移角度传感器原理　　角度传感器用来检测角度的。它的身体中有一个孔，可以配合乐高的轴。当连结到RCX上时，轴每转过1/16圈，角度传感器就会计数一次。往一个方向转动时，计数增加，转动方向改变时，计数减少。计数与角度传感器的初始位置有关。当初始化角度传感器时，它的计数值被设置为0，如果需要，你可以用编程把它重新复位。　　二、位移角度传感器实例　　如果把角度传感器连接到马达和轮子...[详细]
PIC单片机C语言程序设计（1）

　　编者按：为了帮助具有PIC单片机汇编语言知识的技术人员或工程师，快速掌握利用C语言编写PIC单片机程序的方法，本刊特推出《PIC单片机C语言程序设计》系列连载文章。丈中给出的C语言程序实例，均是可执行的，读者可以放心引用。　　一、汇编语言与C语言　　早期的单片机程序多采用汇编语言编写。用汇编语言编程，直接、简捷，可有效地访问和控制各种硬件设备，如存储器、I／O口等，目标代码简短、占用...[详细]
高性能接触电阻测试系统

　　接触电阻是对通过闭合触点对的电流的阻抗。这种类型的测量是针对例如连接器、继电器和开关这样的器件进行的。该电阻通常非常小，范围从微欧到几个毫欧，因此需要采用4线测量法。可编程扫描仪通过将一组测试仪器切换至多个触点，大大缩短了测量时间。例如测试多插针连接器或自动测试环境舱中的多个触点时。　　图 1，测量20个触点的接触电阻　　如图1所示，为防止测试线、通路和开关的接触电...[详细]
HART通信协议在现场仪表远程通信中的实现

　　1 HART协议简介　　HART(Highway Addressable Remote Transducer)，可寻址远程传感器高速通道的开放通信协议，是美国Rosemen公司于1985年推出的一种用于现场智能仪表和控制室设备之间的通信协议。　　HART装置提供具有相对低的带宽，适度响应时间的通信，经过10多年的发展，HART技术在国外已经十分成熟，并已成为全球智能仪表的工业标准...[详细]
专利权：让人欢喜让人忧

专利的排他性确定了专利权人市场的垄断地位，因此是商业竞争的终极武器，判断一个行业的竞争程度，就看这个行业的竞争手段是什么，如果行业之间开始使用专利诉讼，就说明这个行业已经进入了白热化竞争了。日前，博通刚从与Emulex公司的专利纠纷中获得了5800万美元的专利赔偿。而这还只是这两家公司持续的专利纠纷中的暂时的部分的结果。不过，另一方面而言，“企业的无形资产是建立在有形资产基础之上的。”复旦大...[详细]
汽车雷达传感器组网技术研究

随着人们对汽车驾驶过程当中安全性、舒适性要求的不断提高，汽车雷达被广泛的应用在汽车的自适应巡航系统，防碰撞系统以及驾驶支援系统中。其中，毫米波雷达因探测精度高、硬件体积小和不受恶劣天气影响等优点而被广泛采用。但是传统的单一雷达传感器还是存在着诸如探测范围小、可靠性低等缺点。特别是在复杂的行驶状况下，并线、移线、转弯、上下坡以及道路两旁的静态护栏、标志牌、行人都会使得雷达对主目标的识别十分困难，...[详细]
压力传感器应用于汽车保险杠安全系统

英飞凌科技股份公司的KP200压力传感器在汽车发生碰撞事故时增强对行人和驾乘人员的保护方面发挥了重要作用。该压力传感器被用于汽车系统供应商大陆股份公司与另一家知名的汽车厂商合作开发的全新安全系统。如今，第一代系统已被用于多款高档汽车。大陆之所以选用英飞凌的压力传感器，是因为它能够十分可靠快速地测量空气压力变化——无论周围的空气压力如何。多年来，这种传感器在另一种汽车安全应用——侧气囊——中，已...[详细]
移动互联网助力中国物联网发展

中国物联网商圈(www.gjwlw.mobi)是由国内移动互联网服务机构“总来网”(www.zonglai.com)搭建的物联网专业门户网站，网站密切关注物联网行业新闻和产业发展动向，第一时间发布并解读国家及地方的物联网行业信息，为全国商家和用户提供了便捷的查询通道。物联网是新一代信息技术的重要组成部分。顾名思义，“物联网就是物物相连的互联网”。这有两层意思：第一，物联网的核心和基础仍...[详细]

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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