NP40N055ELE-E2-AY,NP40N055ELE-E2-AY pdf中文资料,NP40N055ELE-E2-AY引脚图,NP40N055ELE-E2-AY电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NP40N055ELE-E2-AY

NP40N055ELE-E2-AY: 产品描述40A, 55V, 0.032ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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NP40N055ELE-E2-AY概述

40A, 55V, 0.032ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN

NP40N055ELE-E2-AY规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	64 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	40 A
最大漏极电流 (ID)	40 A
最大漏源导通电阻	0.032 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	66 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

NP40N055ELE-E2-AY相似产品对比

	NP40N055ELE-E2-AY	NP40N055MLE-S18-AY	NP40N055KLE-E1-AY	NP40N055NLE-S18-AY	NP40N055ELE-E1-AY
描述	40A, 55V, 0.032ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN	mosfet N-CH 55v 40a TO-220	mosfet N-CH 55v 40a TO-263	mosfet N-CH 55v 40a TO-262	NP40N055ELE-E1-AY
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	D2PAK	MP-25K	MP-25ZK	-	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	LEAD FREE, MP-25K, TO-220, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4	3	3	-	4
Reach Compliance Code	compliant	compli	compli	-	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	64 mJ	64 mJ	64 mJ	-	64 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	-	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V	55 V	55 V	-	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	40 A	40 A	40 A	-	40 A
最大漏极电流 (ID)	40 A	40 A	40 A	-	40 A
最大漏源导通电阻	0.032 Ω	0.032 Ω	0.032 Ω	-	0.032 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB	TO-220AB	TO-263AB	-	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	-	1
端子数量	2	3	2	-	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	-	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	66 W	66 W	66 W	-	66 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A	100 A	100 A	-	100 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	YES	-	YES
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	-	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-	SILICON
Brand Name	-	Renesas	Renesas	-	Renesas

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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