NP40N055ELE-E1-AY
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Renesas |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 64 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 40 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.032 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 66 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 100 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| NP40N055ELE-E1-AY | NP40N055MLE-S18-AY | NP40N055KLE-E1-AY | NP40N055NLE-S18-AY | NP40N055ELE-E2-AY | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | NP40N055ELE-E1-AY | mosfet N-CH 55v 40a TO-220 | mosfet N-CH 55v 40a TO-263 | mosfet N-CH 55v 40a TO-262 | 40A, 55V, 0.032ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN |
| Brand Name | Renesas | Renesas | Renesas | - | - |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | Renesas(瑞萨电子) | - | Renesas(瑞萨电子) |
| 零件包装代码 | D2PAK | MP-25K | MP-25ZK | - | D2PAK |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | LEAD FREE, MP-25K, TO-220, 3 PIN | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | - | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 | 3 | 3 | - | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant | compli | compli | - | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 64 mJ | 64 mJ | 64 mJ | - | 64 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN | DRAIN | - | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V | 55 V | 55 V | - | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 40 A | 40 A | 40 A | - | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 40 A | 40 A | 40 A | - | 40 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.032 Ω | 0.032 Ω | 0.032 Ω | - | 0.032 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-220AB | TO-263AB | - | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 | - | R-PSSO-G2 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 2 | - | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | - | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 66 W | 66 W | 66 W | - | 66 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 100 A | 100 A | 100 A | - | 100 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | - | YES |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | - | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - | SILICON |
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