Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN1107(T5L,F,T)

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RN1107(T5L,F,T): 产品描述Small Signal Bipolar Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小341KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN1107(T5L,F,T)概述

Small Signal Bipolar Transistor

RN1107(T5L,F,T)规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Base Number Matches	1

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RN1107~1109

TOSHIBA Transistor

Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1107, RN1108, RN1109

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

With built-in bias resistors.

Simplified circuit design

Reduced number of parts and simplified manufacturing process

Complementary to RN2107 to 2109

Unit: mm

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN1107

RN1108

RN1109

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

RN1107 to 1109

RN1107

Emitter-base voltage

RN1108

RN1109

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1107 to 1109

stg

EBO

Symbol

CBO

CEO

Rating

100

150

−55

to 150

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

2-2H1A

Weight: 2.4mg (typ.)

Unit

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Start of commercial production

1990-12

2014-03-01

RN1107(T5L,F,T)相似产品对比

	RN1107(T5L,F,T)	RN1109(T5L,F,T)	RN1109,LF(CT	RN1108(T5L,F,T)	RN1107,LF(CT	RN1107(T5LC,E)	RN1107(T5LEKA)
描述	Small Signal Bipolar Transistor	TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM	TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM	TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM	额定功率：100mW 集电极电流Ic：100mA 集射极击穿电压Vce：50V 晶体管类型：NPN - 预偏压	Small Signal Bipolar Transistor	Small Signal Bipolar Transistor
Reach Compliance Code	unknown	unknown	-	-	-	unknown	unknown

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