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RN1109,LF(CT

产品描述TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小341KB,共6页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN1109,LF(CT概述

TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

RN1109,LF(CT规格参数

参数名称属性值
晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基底(R1)47 kOhms
电阻器 - 发射极基底(R2)22 kOhms
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)70 @ 10mA,5V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值100mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-75,SOT-416
供应商器件封装SSM

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RN1107~1109
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1107, RN1108, RN1109
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit
and Driver Circuit Applications
With built-in bias resistors.
Simplified circuit design
Reduced number of parts and simplified manufacturing process
Complementary to RN2107 to 2109
Unit: mm
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
Type No.
RN1107
RN1108
RN1109
R1 (kΩ)
10
22
47
R2 (kΩ)
47
47
22
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
RN1107 to 1109
RN1107 to 1109
RN1107
Emitter-base voltage
RN1108
RN1109
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
RN1107 to 1109
RN1107 to 1109
RN1107 to 1109
RN1107 to 1109
I
C
P
C
T
j
T
stg
V
EBO
Symbol
V
CBO
V
CEO
Rating
50
50
6
7
15
100
100
150
−55
to 150
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-2H1A
Weight: 2.4mg (typ.)
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Start of commercial production
1990-12
1
2014-03-01

RN1109,LF(CT相似产品对比

RN1109,LF(CT RN1109(T5L,F,T) RN1108(T5L,F,T) RN1107,LF(CT RN1107(T5L,F,T) RN1107(T5LC,E) RN1107(T5LEKA)
描述 TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM 额定功率:100mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:NPN - 预偏压 Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor
Reach Compliance Code - unknown - - unknown unknown unknown
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