2N6661-JQR-A,2N6661-JQR-A pdf中文资料,2N6661-JQR-A引脚图,2N6661-JQR-A电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2N6661-JQR-A

2N6661-JQR-A: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小70KB，共3页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/

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2N6661-JQR-A概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39, 3 PIN

2N6661-JQR-A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	90 V
最大漏极电流 (ID)	0.9 A
最大漏源导通电阻	4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	10 pF
JEDEC-95代码	TO-205AD
JESD-30 代码	O-MBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

2N6661-JQR-A相似产品对比

	2N6661-JQR-A	2N6661-JQR-BR1	2N6661-JQR-AE4	2N6661-JQR-B
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39, 3 PIN	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39, 3 PIN	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39, 3 PIN	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 90V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AD, TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	符合	符合	不符合
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	90 V	90 V	90 V	90 V
最大漏极电流 (ID)	0.9 A	0.9 A	0.9 A	0.9 A
最大漏源导通电阻	4 Ω	4 Ω	4 Ω	4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	10 pF	10 pF	10 pF	10 pF
JEDEC-95代码	TO-205AD	TO-205AD	TO-205AD	TO-205AD
JESD-30 代码	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3	O-MBCY-W3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1

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