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BLF0810S-180

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小114KB,共16页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BLF0810S-180概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

BLF0810S-180规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)700 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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