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NN5117405BLJ-40

产品描述EDO DRAM, 4MX4, 40ns, CMOS, PDSO24
产品类别存储    存储   
文件大小1000KB,共21页
制造商United Microelectronics Corporation
官网地址http://www.umc.com/
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NN5117405BLJ-40概述

EDO DRAM, 4MX4, 40ns, CMOS, PDSO24

NN5117405BLJ-40规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间40 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J24
JESD-609代码e0
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度4
端子数量24
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ24/26,.34
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
自我刷新YES
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.13 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

NN5117405BLJ-40相似产品对比

NN5117405BLJ-40 NN5117405BJ-40
描述 EDO DRAM, 4MX4, 40ns, CMOS, PDSO24 EDO DRAM, 4MX4, 40ns, CMOS, PDSO24
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 SOJ, SOJ24/26,.34 SOJ, SOJ24/26,.34
Reach Compliance Code unknown unknown
最长访问时间 40 ns 40 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J24 R-PDSO-J24
JESD-609代码 e0 e0
内存密度 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 4 4
端子数量 24 24
字数 4194304 words 4194304 words
字数代码 4000000 4000000
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 4MX4 4MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ24/26,.34 SOJ24/26,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048
自我刷新 YES NO
最大待机电流 0.00015 A 0.001 A
最大压摆率 0.13 mA 0.13 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

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